有机电致发光元件制造技术

本发明专利技术提供使用了吲哚并咔唑化合物的有机电致发光元件（EL元件）。本发明专利技术涉及有机EL元件，是在基板上将阳极、包含磷光发光层的多个有机层和阴极层叠而成的有机EL元件，在从磷光发光层、空穴传输层、电子传输层和空穴阻挡层中选择的至少一个有机层中，含有由通式（1）所示的吲哚并咔唑化合物。通式（1）中，环I和环II是与邻接环稠合的式（1a）和式（1b）所示的环。X表示氮或C-Y，但至少一个是氮，Y为氢、烷基、环烷基、芳香族基团，A为烷基、环烷基、芳香族基团，Y和A的至少1个为烷基或环烷基。R为氢、烷基、环烷基、芳香族烃基或芳香族杂环基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有吲哚并咔唑化合物的有机电致发光元件，详细地说，涉及对包含有机化合物的发光层施加电场而发出光的薄膜型器件。
技术介绍
一般地，有机电致发光元件(以下称为有机EL元件)，作为其最简单的结构，由发光层和夹持该层的一对的对向电极构成。即，有机EL元件利用下述现象:如果在两电极间外加电场，则从阴极注入电子，从阳极注入空穴，它们在发光层中再结合，发出光。近年来，已进行使用了有机薄膜的有机EL元件的开发。特别地，为了提高发光效率，以提高载流子从电极注入的效率为目的进行电极的种类的最优化，通过在电极间作为薄膜设置包含芳香族二胺的空穴传输层和包含8-羟基喹啉铝络合物(以下称为Alq3)的发光层的元件的开发，与以往的使用了蒽等的单晶的元件相比实现了发光效率大幅度的改善，因此以在具有自发光.高速响应性的特征的高性能平板中的实用化为目标而进行。此外，作为提高元件的发光效率的尝试，也进行了不是荧光而使用磷光的研究。以上述的设置了包含芳香族二胺的空穴传输层和包含Alq3的发光层的元件为首的多个元件利用了荧光发光，通过采用磷光发光、即利用来自三线激发态的发光，与以往的采用了荧光(单线态)的元件相比，期待3 4倍左右的效率提高。为了该目的，研究了使香豆素衍生物、二苯甲酮衍生物作为发光层，但只获得了极低的亮度。此外，作为利用三线态的尝试，研究了使用铕络合物，但其也未达到高效率的发光。近年来，如专利文献I中列举的那样以发光的高效率化或长寿命化为目的，以铱络合物等有机金属络合物为中心，在大量地进行着磷光发光掺杂剂材料的研究。现有技术文献专 利文献专利文献1:特表2003-515897号公报专利文献2:特开2001-313178号公报专利文献3:特开平11-162650号公报专利文献4:特开平11-176578号公报专利文献5:W02008/056746号公报为了获得高发光效率，与上述掺杂剂材料同时使用的主体材料变得重要。作为主体材料提出的代表性的材料，可列举专利文献2中介绍的咔唑化合物的4，4’ -双(9-咔唑基)联苯(以下称为CBP)。CBP作为以三(2-苯基吡啶)铱络合物(以下称为Ir (ppy) 3)为代表的绿色磷光发光材料的主体材料使用的情况下，CBP由于容易使空穴流过而难以使电子流过的特性，电荷注入平衡被破坏，过剩的空穴向电子传输层侧流出，结果来自Ir (ppy)3的发光效率降低。如前所述，为了在有机EL元件中获得高发光效率，具有高三线态激发能量并且在两种电荷(空穴.电子)注入传输特性上获得平衡的主体材料是必要的。此外，希望电化学上稳定、具有高耐热性的同时具有优异的无定形稳定性的化合物，要求进一步的改进。专利文献3中，作为空穴传输材料，公开了以下所示的吲哚并咔唑化合物。权利要求1.一种有机电致发光兀件，其是在基板上将阳极、包含磷光发光层的多个有机层和阴极层叠而成的有机电致发光兀件，特征在于，在选自磷光发光层、空穴传输层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一个的所述有机层中，含有由通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物，2.如权利要求1所述的有机电致发光元件，特征在于由通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物是由通式(2)表示的吲哚并咔唑化合物，3.如权利要求2所述的有机电致发光元件，特征在于由通式(2)表示的吲哚并咔唑化合物是由通式(3) (6)的任一个表示的吲哚并咔唑化合物，4.如权利要求1 3任一项所述的有机电致发光兀件,特征在于包含Π引哚并咔唑化合物的所述有机层是含有磷光发光掺杂剂的发光层。全文摘要本专利技术提供使用了吲哚并咔唑化合物的有机电致发光元件(EL元件)。本专利技术涉及有机EL元件，是在基板上将阳极、包含磷光发光层的多个有机层和阴极层叠而成的有机EL元件，在从磷光发光层、空穴传输层、电子传输层和空穴阻挡层中选择的至少一个有机层中，含有由通式(1)所示的吲哚并咔唑化合物。通式(1)中，环I和环II是与邻接环稠合的式(1a)和式(1b)所示的环。X表示氮或C-Y，但至少一个是氮，Y为氢、烷基、环烷基、芳香族基团，A为烷基、环烷基、芳香族基团，Y和A的至少1个为烷基或环烷基。R为氢、烷基、环烷基、芳香族烃基或芳香族杂环基。文档编号C07D487/04GK103229324SQ20118005654公开日2013年7月31日 申请日期2011年11月21日 优先权日2010年11月25日专利技术者甲斐孝弘, 古森正树, 山本敏浩, 浅利徹, 石山贵也, 松本惠 申请人:新日铁住金化学株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：甲斐孝弘，古森正树，山本敏浩，浅利徹，石山贵也，松本惠，
申请(专利权)人：新日铁住金化学株式会社，
类型：
国别省市：