描述了具有三层发射层且每一层具有相同荧光主体的发射结构。所述层中的至少一层还包括磷光掺杂剂。还描述了包括这些发射结构的发射装置。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所述的实施方案是有关于发光装置,例如包括一种含突光主体和磷光掺杂剂的发射结构的发光装置。_5] 相关技术说明白色有机发光装置(WOLED)是取代荧光管和白炽灯泡以节约能源的有潜力的候选者。然而，现今WOLED的科技仍有进步空间。举例来说，可改善WOLED的功率效率以提供更好的节能。具有专用磷光发射体(exclusively phosphorescent emitter)的磷光TOLED(PH-WOLED)装置与仅具有荧光发射体的装置相比，具有显著改善的效率。然而，磷光蓝色发射体可能具有短的有效使用寿命。可使用更稳定的荧光蓝色发射体取代不稳定的磷光体蓝色发射体，同时使用绿色至红色的磷光发射体，从而处理磷光蓝色发射体的不稳定性。具有蓝色荧光发射体以及绿色至红色的磷光发射体的OLED装置可称为混合WOLED (HY-WOLED)。相较于PH-W0LED，ΗΥ-ffOLED的效率较低，还可以进一步改善。专利技术简述包括荧光主体材料和磷光掺杂剂的发射结构可对诸如发光装置的装置提供改善的效率。 一些实施方案可包括发射结构，所述发射结构包括:第一发射层，其布置在第二发射层与第三发射层之间，其中，第一发射层可包括第一主体材料，第二发射层可包括第二主体材料，并且第三发射层可包括第三主体材料；其中，第一主体材料、第二主体材料以及第三主体材料各自可通过荧光性而发射蓝光；第一发射层、第二发射层以及第三发射层中的至少一层可还包括第一磷光掺杂剂；以及第一发射层、第二发射层以及第三发射层中的至少一层可以为未掺杂的。—些实施方案可包括发射结构，所述发射结构包括:第一发射层，其可布置在第二发射层与第三发射层之间；其中，第一发射层可包括主体材料，第二发射层可包括所述主体材料，以及第三发射层可包括所述主体材料；其中:所述主体材料可通过荧光性而发射蓝光；第一发射层、第二发射层以及第三发射层中的至少一层可包括第一磷光掺杂剂；以及第一发射层、第二发射层以及第三发射层中的至少一层可为纯净层(neat layer)或可为未掺杂的。—些实施方案可包括发射结构，所述发射结构可包括:第一发射层，其布置在第二发射层与第三发射层之间；其中第一发射层可包括主体材料，第二发射层可包括所述主体材料，以及第三发射层可包括所述主体材料；其中所述主体材料可通过荧光性而发射蓝光；并且其中第一发射层可包括第一磷光掺杂剂，而第二发射层和第三发射层可为未掺杂的；或第一发射层可为未掺杂的，第二发射层可包括第一磷光掺杂剂，而第三发射层可包括第二磷光掺杂剂。一些实施方案可包括发射结构，所述发射结构包括:第一发射层，其布置在第二发射层与第三发射层之间；其中第一发射层包括主体材料，第二发射层包括所述主体材料，以及第三发射层包括所述主体材料；其中所述主体材料通过荧光性而发射蓝光；并且其中第一发射层包括第一磷光掺杂剂，而第二发射层和第三发射层为未掺杂的；或第一发射层为未掺杂的，第二发射层包括第一磷光掺杂剂，而第三发射层包括第二磷光掺杂剂；并且主体材料的三重态能量大于第一磷光掺杂剂的三重态能量；并且存在以下关系中至少一种:第一磷光掺杂剂的HOMO能级高于主体材料的HOMO能级；以及第一磷光掺杂剂的LUMO能级低于主体材料的LUMO能级。一些实施方案可包括含有本文所述的发射结构的发光装置。附图简述附图说明图1A与图1B是发射结构的一些实施方案的示意图。图2A与图2B是发射结构的一些实施方案的能量结构的示意图。图3是示出发射结构的一实施方案的HOMO与LUMO能级的能量图。图4是实施例2所提及的发光装置的一实例的示意图。图5是装置-A的发光效率和功率效率随亮度⑶而变的图式。图6是装置-A的电致发光光谱的图式。图7是装置-B的发光效率和功率效率随亮度(B)而变的图式。`图8示出装置-B的电致发光光谱。专利技术详述术语“Tl”或“三重态能量”具有本领域技术人员所理解的一般含义，且包括从激子的最低能量三重态转换至基态的能量。在本领域中，有许多已知的方法可以用来得到三重态能量，例如通过获得磷光光谱。术语“最高占据分子轨道能级”或“HOMO能级”具有本领域技术人员所理解的一般含义。在一些实施方案中，材料的HOMO能级可包括被至少一个处于基态的电子占据的最高能量分子轨道的能级。术语“最低未占据分子轨道能级”或”LUMO能级”具有本领域技术人员所理解的一般含义。在一些实施方案中，材料的LUMO能级可包括不含有处于基态的电子的最低能量分子轨道的能级。金属或导电体的“功函数”可为将电子从所述金属或导电体的表面提取所需的最小能量的测量值。图1是发射结构100的两个实例的示意图。在图1A与图1B中，发射结构100可包括第一发射层10,其可布置在第二发射层20与第三发射层30之间。在第一发射层10与第二发射层20之间可存在第一界面370。在第一发射层10与第三发射层30之间还可存在第二界面320。另外,一或多个任选的层可存在于第一发射层10与第二发射层20之间，和/或存在于第一发射层10与第三发射层30之间。第一发射层10、第二发射层20以及第三发射层30中的每一层独立地包括主体材料(未不出)。在一些实施方案中，第一发射层10、第二发射层20以及第三发射层30三者都具有相同的主体材料(未示出)。在图1A中，第一发射层10可包括第一磷光掺杂剂40,第二发射层20可为未掺杂的，并且第三发射层30可为未掺杂的。在一些实施方案中，第一发射层10可还包括第二磷光掺杂剂50。在图1B中，第一发射层10可为未掺杂的,第二发射层20可包括第一磷光掺杂剂40,并且第三发射层可包括第二磷光掺杂剂50。第一磷光掺杂剂40和第二磷光掺杂剂50可包含基本上相同的材料或可包含不同的材料。在一些实施方案中，通过设定发射结构使得激子在包括磷光掺杂剂的发射层中形成和/或在包括磷光掺杂剂的发射层与未掺杂的发射层之间的界面中形成，从而可改善发射结构的效率。如果电荷被捕获在磷光掺杂剂中，激子可在掺杂层与未掺杂层之间的界面形成，或在该界面附近形成。接着，掺杂剂的三重态激子可通过磷光发射而衰变(relax)至基态。然而，如果电荷未被捕获在磷光掺杂剂中，三重态激子不会被束缚至界面或界面附近的产生区。因此，可能更难以控制所产生的颜色。另一结果是发射结构的效率可能降低。如果三重态激子在离掺杂发射层太远的地方形成，则三重态激子可能无法到达磷光掺杂剂，这可能会降低装置效率。因此，激子在包含磷光掺杂剂的层中形成，或在包含磷光掺杂剂的层的边界或边界附近处形成，可改善发射结构的效率。在一些实施方案中，主体的三重态能量可为:至少比磷光掺杂剂的三重态能量高约0.05eV、约0.1eV或约0.2eV ;和/或至多比磷光掺杂剂的三重态能量高约0.3eV、约0.70eV 或约 1.6eV0图2是图1中的实例的三重态能量结构的示意图，其中三个发射层都包括相同的主体材料。在图2A与图2B两者中，对于第一发射层10、第二发射层20以及第三发射层30来说，最低未占据分子轨道(LUMO)的能量210、最高占据分子轨道(HOMO)的能量220以及主体材料的三重态能量230可约相同，因为这三种材料都具有相同的荧光主体。主体材料的三重态能量230可低于主体材料的H0M0-LUM0能隙。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：马立平，郑世俊，赖倩茜，望月周，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：
国别省市：
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