【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用了特定的聚硅氧烷化合物的感光性树脂组合物，详细而言，涉及碱显影性的负型感光性树脂组合物及使用了该感光性树脂组合物的负型光致抗蚀剂(特别是永久抗蚀剂)。
技术介绍
负型光致抗蚀剂是下述类型的光致抗蚀剂:通过曝光，在显影液中的溶解性降低，显影后曝光部分残留。由于在以往的负型光致抗蚀剂的显影液中使用了有机溶剂，因此在环境上、卫生上以及易燃性方面存在问题，且显影时有机溶剂会使光致抗蚀剂溶胀，因此在微细布线上的应对困难，不适于制造高集成度的半导体电路。为此，希望开发出用四甲基氢氧化铵(TMAH)等碱溶液即可显影的负型光致抗蚀剂。另一方面，聚硅氧烷化合物是耐热性、透明性、绝缘性等优异的化合物，作为碱显影性的负型光致抗蚀剂，已知有丙烯酸系聚合物和环氧聚硅氧烷的配合物(例如参照专利文献I)、以丙烯酸系聚合物的硅氧烷改性物为主剂的树脂组合物(例如参照专利文献2)等。这些具有硅氧烷结构的以往的负型光致抗蚀剂的耐酸性、耐碱性、耐溶剂性等耐化学试剂性并不充分，而且作为永久抗蚀剂的耐热性也不充分。与此相对，作为耐化学试剂性或耐热性得到了改善的负型光致抗蚀剂，已知有以下述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩岛智幸，松本拓也，末吉孝，竹之内宏美，尾见仁一，
申请(专利权)人：株式会社艾迪科，
类型：
国别省市：
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