加热装置及与其相关的方法制造方法及图纸

本发明专利技术一般涉及加热装置及使用该加热装置的方法。在一些实施例中，加热装置包含具有中空圆柱形加热腔的压力壳、设置于该中空圆柱形加热腔中的环状遮热板、及至少一设置于该环状遮热板的内部容积中的加热组件。在另一实施例中，一种制备三氯硅烷的方法，包括以下步骤：引导具备四氯化硅的反应物流至加热装置中、令电流通过加热组件以加热该反应物流、及引导加热的该反应物流至反应器中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及加热装置(heater)、系统及加热方法，特别是，涉及氢氯化反应(hydrochlorination)或氢化(hydrogenation)加热装置，且涉及加热系统中的流体(stream)及产生三氯娃烧(trichlorosilane)的过程。
技术介绍
三氯娃烧能通过根据下列反应方程式氢化四氯化娃(silicon tetrachloride)而产生:Si+2H2+3SiCl4 — 4HSiCl3 (I)反应方程式(I)通常于高压下完成，介于约250磅每平方吋表压(psig)至500磅每平方吋表压(psig)，且反应温度介于约500°C至约550°C的范围中。三氯硅烷也能通过根据下列反应方程式氢化硅而产生:3Hi+Si — HSiCl3+H2 (2) 反应方程式(2)通常于低压下完成，约50磅每平方吋表压(psig)，且反应温度介于约300°C至约350°C的范围中。
技术实现思路
本案能包括加热装置、系统、及加热一或多个反应物流(reactant stream)以产生例如二氣娃烧。本案一方面或多方面能指代为一加热装置，包括具有一中空圆柱形加热腔(cylindrical h本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·法伦布鲁克，B·黑兹尔坦，
申请(专利权)人：GTAT公司，
类型：
国别省市：