半导体激光器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器包括：半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖脊部侧面和半导体层的顶面；其中，嵌入膜从脊部和半导体层侧开始依次包括由硅氧化膜构成的第一层、由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层、以及由无机绝缘材料制成的第三层。

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器及其制造方法
本公开涉及半导体激光器，其包括设置在脊部周围的嵌入膜，及其制造方法。
技术介绍
近年来，例如，如日本未审查专利申请公开号H9-221249中所公开的，在损失导波形半导体激光器中，比有源层具有更高折射率的材料被配置为紧接有源层，并且光的外耦合降低了有效折射率以形成横向波导区。此外，例如，日本未审查专利申请公开号2005-187034中提出了一种技术，其中绝缘膜和包含硅的吸收膜被设置在非脊部以抑制高阶模式。
技术实现思路
然而，在日本未经审查专利申请公开号H9-221249中，由于采用比有源层具有更高折射率的材料，增加了光吸收，降低了斜率效率（L-I特性的梯度），并且增加了操作电流。此外，在日本未经审查专利申请公开号2005-187034中，因为吸收膜的膜性能差，所以造成特性的劣化。因此，需要提供一种半导体激光器，它允许抑制驱动电流的增加和特性的劣化，以及制造该半导体激光器的方法。根据本公开实施方式的半导体激光器，包括：半导体层，包括有源层和脊部，脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜（embeddedfilm），覆盖脊部侧面和半导体层的顶面；其中，嵌入膜从接近脊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器，包括：半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对所述有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖所述脊部的侧面和所述半导体层的顶面，其中，所述嵌入膜从接近所述脊部和所述半导体层的位置依次包括：第一层，由硅氧化膜构成，第二层，由具有比所述有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成，以及第三层，由无机绝缘材料制成。

【技术特征摘要】
2012.01.25 JP 2012-0126551.一种半导体激光器，包括：半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对所述有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖所述脊部的侧面和所述半导体层的顶面，其中，所述嵌入膜从接近所述脊部和所述半导体层的位置依次包括：第一层，由硅氧化膜构成，第二层，由具有比所述有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成，以及第三层，由无机绝缘材料制成。2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第二层的消光系数高于0，并且等于或低于0.5。3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第二层由硅氮化膜构成。4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中，所述第二层包含Si-Si键，并且包含在所述第二层中的Si-Si键的百分比是约12％或更低。5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其中，所述第二层的厚度为约20nm或更大。6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述第一层的折射率为约1.4至1.6。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：松谷弘康，佐藤圭，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：