【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体激光器设备
，涉及一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器以其波长选择范围广、体积小、功耗小、效率高、继承性好、成本低等优点成为最重要的半导体光电子器件之一。其中大功率半导体激光器在激光存储、激光显示、激光打印、材料加工、激光打标、生物医学、医疗器械、空间光通信等领域有着广泛应用，同时在军事领域它也可应用于激光打靶、激光制导、激光夜视、激光雷达、激光引信、激光武器、战争模拟等。大功率半导体激光器技术涵盖了几乎所有光电子领域，研制高性能大功率激光器需要从激光器外延片结构设计、材料生长、器件制作、腔面光学镀膜、器件封装、光束整形与耦合等多方面协调合作，但无疑半导体激光器外延片和芯片的制作是最核心技术。 随着实际应用的不断拓展，对大功率半导体激光器的性能参数要求也不断提高，同时高的输出功率、长的器件寿命也促进着大功率半导体激光器在工业技术和国防安全中更为广泛的使用。但是随着要求更大的工作电流和输出功率，普通结构的半导体激光器其电流-功率特性常会出现光学灾变损伤、扭折、热饱和、快速退化等不良现象，激光器的光输出功率、寿命...
【技术保护点】
一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器，其特征在于：非吸收窗口（10）位于激光器的脊型或者条形上方，且非吸收窗口（10）分布在激光器腔面两端，呈半柱形结构，其平面部分即为激光器的出光腔面，其弧面部分位于激光器的腔长内部；非吸收窗口的深度应超过激光器有源区的上波导层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林涛，张浩卿，马新尖，李超，林楠，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：
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