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本发明公开了一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器，非吸收窗口位于激光器的脊型或者条形上方，且非吸收窗口分布在激光器腔面两端，呈半柱形结构分布，其平面部分即为激光器的出光腔面，其弧面部分位于激光器的腔长内部；非吸收窗口的深度应超过激光器有源...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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