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本发明涉及半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器包括：半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖脊部侧面和半导体层的顶面；其中，嵌入膜从脊部和半导体层侧开始依次包括由硅氧化膜构成的第一层、由具有比有源层...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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