【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种泵浦随机激光发射器的制备,特别涉及一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器。
技术介绍
近年来半导体产业有了突飞猛进的发展,以光电探测器、光学器件、激光二极管等应用背景的光电子材料取得较大的进展。人们对短波光学器件和高频电子设备的需求日益增长,宽带隙半导体材料逐渐受到人们的关注,而价格低廉、无毒和可生物降解的宽带隙半导体ZnO具有很大的应用潜力,并且其在场效应管和场发射等方面体现出较优越的特性。ZnO是一种重要的半导体材料,常温下激子束缚能达到60mev,具有3.4eV的宽带隙,具有很好的热稳定性和特殊的力、光、电学性质,因此其在光学、电子学和发光二极管方面都有重要的应用,而管状或者中空的一维纳米结构的高孔隙度、高效性和活性逐渐受到人们的关注,现阶段ZnO纳米管通常通过热蒸发、微波等离子体沉积、有机金属气相沉积、热化学气相沉积或分子束外延等方法获得,这些制备ZnO纳米管的方法需要高温的实验条件和复杂的工艺过程,因此我们探索出一种简单的方法得到ZnO纳米管,并将SiO2量子点填充到ZnO纳米管中制作成器件,在较低的直流电压驱动下,得 ...
【技术保护点】
一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:包括衬底、阳极层、无机发光层、缓冲层和阴极层并依次组成堆叠结构,所述衬底为透明衬底,阳极层为透明导电金属氧化物,无机发光层为ZnO纳米管阵列,缓冲层的无机绝缘材料为SiO2。
【技术特征摘要】
1.一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:包括衬底、阳极层、无机发光层、缓冲层和阴极层并依次组成堆叠结构,所述衬底为透明衬底,阳极层为透明导电金属氧化物,无机发光层为ZnO纳米管阵列,缓冲层的无机绝缘材料为Si02。2.根据权利要求1所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:所述透明衬底为玻璃或聚乙烯塑料衬底。3.根据权利要求1所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡、氧化锌铝或氧化锌镓。4.根据权利要求1所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:所述阴极层的导电金属为锂、镁、铝、铜、金或银。5.一种如权利要求1所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器的制备方法,其特征在于步骤如下: 1)在透明衬底上涂阳极层,依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇分别对阳极层进行超声清洗,然后放入真空度为-0.1Pa的真空干燥箱内充分干燥,干燥时间为60-90分钟,干燥温度为60-100°C ; 2)将乙酸锌和乙二醇甲醚配制成浓度为0.5mol/L的籽晶溶液,使用匀胶机将籽晶溶液旋涂在上述干燥好的透明衬底上,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李岚,葛林,陈义鹏,王有为,石庆良,朱明雪,王浩,
申请(专利权)人:天津理工大学,
类型:发明
国别省市:
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