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用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法技术

技术编号:8981438 阅读:198 留言:0更新日期:2013-07-31 23:30
用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法,涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片;在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种,形成非平面结构;在非平面结构上制作金属层;在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理,形成第一含金属层;在导热性好的基底上制备第二含金属层;在真空或者氮气氛围,贴合所述第一含金属层与第二含金属层,将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上,如硅和铜等衬底,从而改善发光器件的散热情况,提高器件可工作的电流密度,增大光功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化镓基发光器件,尤其是涉及一种。
技术介绍
氮化镓基材料属于直接带隙半导体材料且具有连续可调的带隙,室温下发光波长涵盖了近红外,可见及深紫外波段。由于其稳定的机械和化学性能,基于氮化镓基材料制作的发光器件在照明、全色显示、光学存储、激光打印以及通讯等领域具有广泛的应用前景。其中氮化镓基垂直腔面发射激光器、谐振腔LED、大功率LED是当前研究颇为关注的热点。由于很难获得质量良好的氮化镓单晶衬底,目前氮化镓材料外延生长工艺中,具有与氮化镓晶格失配和热失配较小且价格经济的蓝宝石衬底占了主导地位。但是由于蓝宝石的导热性差,使得氮·化镓基器件的散热问题比较严重,尤其是大电流密度注入下,高的产热量使器件温度升高从而严重影响器件性能。为了改善这种情况,利用金属键合和激光剥离技术将氮化镓基外延结构转移到导热性好的衬底上是实现大电流密度注入下氮化镓基发光器件的关键(S.J.Wang, K.M.Uang, et al., Use of patterned laser liftoff processand electroplating nickel layer for the fabri本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法,其特征在于包括以下步骤:1)制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片;2)在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种,形成非平面结构;3)在非平面结构上制作金属层;4)在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理,形成第一含金属层;5)在导热性好的基底上制备第二含金属层;6)在真空或者氮气氛围,贴合所述第一含金属层与第二含金属层,将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。

【技术特征摘要】
1.用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法,其特征在于包括以下步骤: 1)制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片; 2)在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种,形成非平面结构; 3)在非平面结构上制作金属层; 4)在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理,形成第一含金属层; 5)在导热性好的基底上制备第二含金属层; 6)在真空或者氮气氛围,贴合所述第一含金属层与第二含金属层,将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。2.如权利 要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法,其特征在于在步骤2)中,所述制作采用剥离、腐蚀或刻蚀方法。3.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法,其特征在于在步骤2)中,所述导电层为透明导电层或半透明导电层。4.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法,其特征在于在步骤2)中,所述导电层选自铟锡氧化物层、铟锌氧化物层、氧化锌层、掺铝氧化锌层、掺镓氧化锌层、镍金层中的一种。5.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器...

【专利技术属性】
技术研发人员:张保平刘文杰胡晓龙张江勇应磊莹
申请(专利权)人:厦门大学
类型:发明
国别省市:

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