发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置，该发光装置采用实现发光装置的小型化和薄型化的同时，防止在发光装置中的树脂与树脂、引线框架、引线等之间产生空隙的结构，从而不仅能够阻止用于发光装置的含银金属部件的硫化，还能够更有效地取出从发光元件射出的光。该发光装置包括：多个发光元件（11a，11b）、搭载发光元件的多个引线框架（12a，12b）和封装体（13），该封装体（13）由树脂形成并具有开口（13a），引线框架的一部分埋设在封装体内部，且另一部分暴露在所述开口（13a）的底面。在封装体（13）的开口（13a）的底面存在暴露树脂的树脂底面（13e），在开口内的发光元件之间具有从开口底面突出的壁部（13b），发光元件与跨过壁部（13b）的引线连接。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
本专利技术涉及一种发光装置。
技术介绍
近年来，高亮度、高功率的发光元件及小型发光装置被开发并应用于各种领域。这些发光装置凭借小型、低耗电、重量轻等特点，被利用于例如手机、液晶背光光源、各种仪表的光源、各种读取传感器等，为了进一步实现小型化和高亮度进行了各种尝试(如专利文献1、专利文献2等)。作为各种尝试的一个例子，提出了如下一种方案：例如，作为应用于引线框架的金属部件采用由银或银合金制成的金属部件，作为应用于引线接合的引线采用由银或银合金制成的引线，由此进一步抑制对来自发光元件的光的吸收，从而有效地反射光并取出光。另外，为了防止这些银或银合金的硫化，对用于密封发光元件的树脂和封装体材料提出有各种方案(如专利文献3、专利文献4等)。专利文献1：(日本)特开2011-249807号公报专利文献2：(日本)特开2008-153610号公报专利文献3：(日本)特开2011-256326号公报专利文献4：(日本)特开2011-178983号公报然而，一般情况下，如果将银或银合金用作引线框架及引线等的材料，则这些部件会发生硫化，伴随着硫化会引起对来自发光元件的光的吸收，结果出现阻碍光的有效反射的问题。而且，现状是，即使使用组成为可以显著抑制银的硫化的树脂，气体和液体也能通过树脂和树脂或者树脂和引线框架等的极小的空隙侵入，由此硫化开始并扩大，结果不能有效地抑制硫化。
技术实现思路
本专利技术是为解决上述课题提出的，其目的在于提供一种发光装置，该发光装置采用了不仅实现小型化和薄型化，而且能够有效地防止在发光装置中的树脂和树脂，树脂和引线框架、引线等之间产生空隙的结构，由此阻止了用于发光装置的含银的金属部件的硫化，并且与该结构相辅相成，更有效地取出由发光元件射出的光。本专利技术包括以下专利技术。一种发光装置，其特征在于，包括：多个发光元件；多个搭载所述发光元件的引线框架；封装体，其由树脂形成并具有开口，所述引线框架的一部分埋设在所述封装体内部，且另一部分暴露在所述开口的底面；在所述封装体的开口的底面存在暴露所述树脂的树脂底面；在所述开口内的所述发光元件之间具有从所述开口的底面突出的壁部；所述发光元件与跨过所述壁部的引线连接。根据本专利技术，能够提供具备如下效果的发光装置，即在实现发光装置的小型化和薄型化的同时，还能够有效地防止在发光装置中的树脂和树脂，树脂和引线框架、引线等之间产生空隙，由此可靠地防止构成封装体的或者封装体内存在的金属部件的腐蚀和硫化，可以实现亮度进一步提高，品质进一步提高。附图说明图1A是用于说明本专利技术的发光装置的从光取出面(光放射面)看的该发光装置的示意俯视图，图1B是图1的发光装置的A-A’线剖面图。图2A是图1的发光装置的侧视图，图2B是俯视图，图2C是仰视图，图2D是侧视图。图3是用于说明本专利技术的壁部和开口短侧面的倾斜的发光装置的示意剖面图。图4A、图4B是用于说明本专利技术的发光装置中发光元件之间的引线连接状态的发光装置主要部分的示意剖面图。附图标记说明2n侧焊盘电极3p侧焊盘电极10发光装置11a，11b发光元件12a，12b引线框架13封装体13a开口13b壁部13c短侧面13d长侧面13e树脂底面13f凹部14引线具体实施方式例如，如图1所示，本专利技术的发光装置主要由多个发光元件11a，11b、引线框架12a，12b及封装体13构成。作为这种发光装置，优选所谓的侧视型发光装置，即优选能够作为在与安装面大致垂直的方向上具有光放射面(光取出面，以下有时称作“上表面”)的发光装置安装的类型。＜发光元件＞作为发光元件，通常采用半导体发光元件，但只要是被称作发光二极管的元件，什么类型的发光元件均可以。例如举出在基板上由InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等氮化物半导体，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体等各种半导体形成含有活性层的层叠结构的发光元件。作为半导体的结构，例如有MIS结、PIN结、PN结等同质结构，异质结或双异质结，另外，也可以是将半导体活性层形成为产生量子效果的薄膜的单量子阱结构、多量子阱结构。有时在活性层中也可以掺杂Si、Ge等施主杂质和/或Zn、Mg等受主杂质。得到的发光元件的发光波长随着半导体材料、混晶比、活性层的InGaN中的In含有量、掺杂在活性层中的杂质种类发生变化，可以从紫外区变化到红色区。发光元件搭载在后述的引线框架上，为此使用了接合部件。例如，如果是发出蓝光及绿光的在蓝宝石基板上使氮化物半导体生长而形成的发光元件，可以使用环氧树脂、硅树脂等。另外，考虑到来自发光元件的光和热引起的劣化，可以对发光元件背面镀铝，也可以代替树脂而使用Au-Sn共晶等焊料或者低熔点金属等钎料。而且，如果是由GaAs等形成的发出红光的两面形成有电极的发光元件，也可以使用银、金、钯等导电膏等进行芯片接合。在本专利技术的发光装置中，可以搭载两个以上的多个发光元件。在这种情况下，可以组合发出不同色光的发光元件，也可以组合发出相同色光的发光元件。例如，通过与RGB对应地组合发出不同色光的多个发光元件，可以提高彩色再现性。另外，通过组合发出相同色光的多个发光元件，可以提高光的强度。需要说明的是，发光元件通过面朝上安装、倒装芯片安装等搭载在发光装置上，然而优选面朝上安装，即相对发光元件的基板(或半导体层)，一对电极形成在同一面侧，将形成有电极的面面向光射出面而安装。在这种情况下，发光元件通常与一对电极引线接合，因此发光元件形成有与这些电极对应的焊盘电极。优选一侧的焊盘电极接近发光元件的外周，而另一侧的焊盘电极位于向发光元件的内侧偏移的位置。通过这样的焊盘电极的配置，可以谋求将引线对发光元件射出的光的吸收抑制在最低限度的同时，对构成发光元件的半导体层均匀地供电。另外，考虑到与引线的可接合性，优选焊盘电极的最上表面由金、铂金、铝、铑、铱、钌、银或这些金属的合金等形成，更优选由金、铂金、铝或这些金属的合金形成。＜引线框架＞引线框架是用于搭载发光元件的部件，也起到与发光元件电连接的电极和引线端子的作用。为此，引线框架的一部分埋设并固定在后述的封装体内，另一部分搭载发光元件且为了进行电连接，暴露在封装体的开口内(其底面)，剩余部分从封装体内向外突出。通过使引线框架在开口底面的一部分表面暴露，能够使来自发光元件的光反射，有效地朝正面方向取出光。需要说明的是，如后文所述，在开口底面暴露的引线框架可以随开口的形状或者与开口的形状无关，其宽度可以不同。在这种情况下，优选在开口的末端侧宽度窄，随着越靠近中央部分宽度越宽。在此，宽度需要在能够确保电极及供电的引线端子的功能的范围内变动，例如，对最大宽度而言，可以在30％以内变动，优选在20％以内变动。一个发光装置具有的引线框架的数量通常在两个以上，引线框架的数量可以在(发光元件的数量+1)个以上，或者也可以在发光元件数量的二倍以上。例如，在搭载有两个发光元件的情况下，在两个引线框架上各安装一个发光元件，一侧的发光元件通过一个电极与搭载它的一侧的引线框架电连接，且另一侧的发光元件通过一个电极与搭载它的另一侧的引线框架电连接，未与引线框架连接的发光元件的电极彼此相互电连接。需要说明的是，多个引线框架中除了与所述发光元件的电极电连接的引线框架以外的其他引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括：多个发光元件；多个搭载有所述发光元件的引线框架；封装体，其由树脂形成并具有开口，所述引线框架的一部分埋设在所述封装体内部，且另一部分暴露在所述开口的底面；在所述封装体的开口的底面存在暴露所述树脂的树脂底面；在所述开口内的发光元件之间具有从所述开口的底面突出的壁部；所述发光元件与跨过所述壁部的引线连接。

【技术特征摘要】
2012.01.31 JP 2012-0187631.一种发光装置，其特征在于，包括：多个发光元件；多个搭载有所述发光元件的引线框架；封装体，其由树脂形成并具有开口，所述引线框架的一部分埋设在所述封装体内部，且另一部分暴露在所述开口的底面；所述封装体沿长度方向及宽度方向设置，在所述封装体的开口的底面存在使所述树脂露出的树脂底面,所述树脂底面在长度方向上其宽度不同,在所述开口内的发光元件之间具有从所述开口的底面突出的壁部,所述发光元件与跨过所述壁部的引线连接。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述树脂底面越靠近壁部其宽度越窄。3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述壁部的高度小于或者等于搭载的所述发光元件的高度。4.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述封装体具有沿长度方向延伸的形状，所述开口具有沿长度方向设置的长侧面，所述树脂底面与长侧面邻接配置。5.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述壁部与一对长侧面连接，该一对长侧面沿着配置在向长度方向延伸的封装体中的开口的长度方向延伸，所述壁部越靠近底面在该长度方向上的宽度越宽。6.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，在所述封装体的开口的底面，与所述壁部邻接的部位被所述引线框架的暴露面占据。7.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述壁部配置在所述引线框...

【专利技术属性】
技术研发人员：金田守人，濵田健作，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：