【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种导线架及其封装构造,特别是一种表面具有多角星形凹坑以提高封装结合强度的导线架及其封装构造。
技术介绍
本专利技术是关于一种导线架及其封装构造,特别是用于半导体封装四方平面封装(QFP)、四方平面无外引脚封装(QFN)、小型化封装(SOP)和直插式封装(DIP)等的一种导线架及其封装构造。随着芯片设计的速度越来越快,功率也越来越大,低介电系数(low-k)材料的芯片越来越多,低介电系数材料的芯片机械延展性以及材料稳定性等问题,在高电压、高电流、高频率、高灵敏度、高精密、高湿度及高低温温差大等情况,对微电子产品的可靠性质量要求也越来越高,然而,以导线架为芯片承载体的半导体封装常见的问题在于导线架的芯片承座与封装胶体间的热膨胀系数不同产生分层(delamination),或者在芯片承座外四周镀银的打线区域分层导致电性能接触不良甚至断裂,降低半导体构造的性能可靠性和使用寿命。故,有必要提供一种表面具有多角星形凹坑的导线架及其封装构造,以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种表面具有多角星形凹坑的导线架及其封装构造,以解决 ...
【技术保护点】
一种导线架,其特征在于:所述导线架包含︰?一芯片承座;及?数个引脚,环绕排列在所述芯片承座的至少一侧;?其中所述导线架在进行封装的至少一接触表面上设有数个多角星形凹坑。
【技术特征摘要】
1.一种导线架,其特征在于:所述导线架包含: 一芯片承座;及 数个引脚,环绕排列在所述芯片承座的至少一侧; 其中所述导线架在进行封装的至少一接触表面上设有数个多角星形凹坑。2.如权利要求1所述的导线架,其特征在于:所述多角星形凹坑的形状是至少为三个角的多角星形。3.如权利要求2所述的导线架,其特征在于:所述多角星形凹坑的星形尖角的平均角度介于30度至90度之间。4.如权利要求2所述的导线架,其特征在于:所述多角星形的星角数量是介于5至12的正多角星形,且其每一内角的角度介于36度至90度之间。5.如权利要求1所述的导线架,其特征在于:所述接触表面是所述芯片承座的一上表面和/或一下表面。6.如权利要求1所述的导线架,其特征在于:所述接触表面是所述引脚靠近所述芯片承座端的一内引脚端的一上表面和/或一下表面。7.如权利要求1所述的导线架,其特征在于:所述多角星形凹坑的纵向截面呈现外窄内宽的形状。8.如权利要求1所述的导线架,其特征在于:所述芯片承座的边缘与所述数个引脚呈穿插凹凸排列。9.如权利要求1所述的导线架,其特征在于:所述芯片承座、所述数个引脚和/或所述芯片承...
【专利技术属性】
技术研发人员:周素芬,
申请(专利权)人:日月光封装测试上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。