一种有机物层刻蚀方法技术

一种有机物层如底层光刻胶材料层的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：将待刻蚀基片放入等离子反应腔，所述基片上包括刻蚀目标有机物材料层；通入反应气体到等离子反应腔；向反应气体施加射频电能点燃等离子体，对所述基片进行刻蚀；其中所述反应气体包括主刻蚀气体，稀释气体，其中主刻蚀气体选自CO2，稀释气体选自Ar、N2、CO之一或者其混合物，其中稀释气体流量小于所述主刻蚀气体流量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机物层的等离子刻蚀方法，，特别涉及一种在低临界尺寸(critical dimension CD)要求下的有机物层的刻蚀方法。
技术介绍
在半导体器件制造领域内，利用等离子来进行加工的各种反应腔普遍存在。随着加工精度越来越高，临界尺寸(critical dimension)越来越小,现在业界的临界尺寸已经达到了 45nm以下，如22nm的CPU已经面世。而现有的通过光学方法对光刻胶进行照射来获得加工图形的方法最小临界尺寸仅能达到45nm左右，要获得更高精度的图形要付出巨大代价，不具有经济价值。为了在现有光刻技术条件下获得更小临界尺寸的加工能力，现有技术广泛采用了临界尺寸缩小技术，即在较大掩膜的基础上通过刻蚀形成具有梯形剖面的孔洞或沟槽，最终获得具有较小临界尺寸的掩膜。采用这一技术的关键是获得可以精确控制刻蚀结果的方法，使得刻蚀过程中图形尺寸能够均匀的缩小，且不会变形造成最终图形转换失真。采用这样的临界尺寸缩小技术可以应用到多种材料层的刻蚀，如绝缘材料层，通常是含硅的无机物如APL、Si02, SiN等。这些材料层相对比较坚硬比较容易控制刻蚀形成的沟道形状。但是为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机物层刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：将待刻蚀基片放入等离子反应腔，所述基片上包括刻蚀目标有机物材料层；通入反应气体到等离子反应腔；向反应气体施加射频电能点燃等离子体，对所述基片进行刻蚀；其中所述反应气体包括主刻蚀气体，稀释气体，其中主刻蚀气体选自CO2，稀释气体选自Ar、N2、CO之一或者其混合物，其中稀释气体流量小于所述主刻蚀气体流量。

【技术特征摘要】
1.一种有机物层刻蚀方法，所述刻蚀方法包括: 将待刻蚀基片放入等离子反应腔，所述基片上包括刻蚀目标有机物材料层； 通入反应气体到等离子反应腔； 向反应气体施加射频电能点燃等离子体，对所述基片进行刻蚀； 其中所述反应气体包括主刻蚀气体，稀释气体，其中主刻蚀气体选自C02，稀释气体选自Ar、N2、CO之一或者其混合物，其中稀释气体流量小于所述主刻蚀气体流量。2.根据权利要求1所述的一种有机物层刻蚀方法，其特征在于其中所述刻蚀目标材料层包括一层有机物掩膜材料层，以及位于该有机物掩膜材料层上方图形化的无机材料层，所述图形化无机材料层具有第一临界尺寸。3.根据权利要求2所述的一种有机物层刻蚀方法，其特征在于其中所述图形化无机材料层的图形通过位于其上方的具有第一临界尺寸图形的光刻胶为掩膜刻蚀获得。4.根据权利要求2所述的一种有机物层刻蚀方法，其特征在于其中所述有机物掩膜材料层通过刻蚀在材料层底部形成具有第二临界尺寸的图形，其中第二临界尺寸小...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·佩尔斯，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：