一种用于等离子体处理装置的载片台制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其埋设有用于产生静电吸力的电极；第二电介质层，其位于所述第一电介质层的下方，所述第二电介质层至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域；驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。本发明专利技术还提供了一种包括所述载片台的等离子体处理装置。本发明专利技术能够改善边缘效应，实现制程均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体处理装置的载片台。
技术介绍
半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。这一不均匀现象在射频电场频率越高时越明显，在射频频率大于60MHZ甚至大于IOOMhz时这一等离子浓度的不均匀性程度已经很难再用其它装置如位于静电夹盘边缘的聚集环来调控。由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的上述问题，本专利技术提出了能够改善均一性的用于等离子体处理装置的载片台。本专利技术第一方面提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其埋设有用于产生静电吸力的电极；第二电介质层，其位于所述第一电介质层的下方，所述第二电介质层至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域，驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。

【技术特征摘要】
1.一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括: 第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体， 静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括: 第一电介质层，其埋设有用于产生静电吸力的电极； 第二电介质层，其位于所述第一电介质层的下方，所述第二电介质层至少包括对应于基片中央区域的第一区域，对应于基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域， 驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。2.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，分别位于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的电介质的介电值相同。3.根据权利要求2所述的载片台，其特征在于，所述驱动装置可选地驱动所述第一区域和第二区域进行垂直方向上的伸缩。4.根据权利要求3所述的载片台，其特征在于，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶铮，凯文·佩尔斯，松尾裕史，曹雪操，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：