一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元制造技术

本实用新型专利技术提供一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，包括：DDR3配置单元、DDR3校准单元以及多个并联的驱动单元，还包括DDR2配置单元、DDR2校准单元以及二选一单元；二选一单元包括配置二选一单元和校准二选一单元；DDR2配置单元与DDR3配置单元分别与配置二选一单元连接；DDR2校准单元与DDR3校准单元分别与校准二选一单元连接；配置二选一单元和校准二选一单元分别与多个并联的驱动单元连接；该实用新型专利技术比现有相关DDR3DRAM输出单元技术兼容性好，而且切换成DDR2DRAM输出单元简单、价格便宜。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

A OCD unit compatible with DDR2 and DDR3

The utility model provides a OCD unit, DDR2 and DDR3 compatible include: DDR3 configuration unit, DDR3 calibration unit and a plurality of parallel drive unit also includes a DDR2 configuration unit, DDR2 calibration unit and one of two units; two choose a configuration unit includes one of two units and two choose a calibration unit; the DDR2 configuration unit and DDR3 configuration unit are respectively connected with the configuration of one of two units; the DDR2 calibration unit and DDR3 calibration unit are respectively connected with the calibration of one of two units; two choose a configuration and calibration unit two choose a unit is respectively connected with a plurality of parallel connection driving unit; the utility model is compared with the existing correlation DDR3DRAM output unit technology compatibility well, and switch to the DDR2DRAM output unit is simple and cheap.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于芯片设计领域，涉及一种可兼容DDR2和DDR3的O⑶单元。
技术介绍
DRAM的OCD是DRAM芯片与外界通信的输出接口单元，DDR3DRAM与DDR2DRAM的输出接口特性差别大，通常DDR3DRAM的O⑶线性度，工作频率都比DDR2DRAM高。参见图1是现有传统的DDR30⑶单元，由DDR3驱动配置单元、DDR3校准单元以及8个并联的驱动单元(编号f 8)；8个驱动单元完全一样，它们决定O⑶的最终输出电阻。8个驱动单元的输入数据信号都连到data_in，输出数据信号都连到data_out;输入数据(data_in)为高电平时O⑶输出(data_out)也为高电平，data_in为低电平时，data_out也为低电平；8个驱动单元驱动电阻都由驱动电阻设置信号strength〈5:0>决定；8个驱动单元的选择分别由sel<l>, sel〈2>…sel〈8>控制；当sel〈n>为高电平时,表示第η个驱动单元工作，当sel〈n>为低电平时，表示第η个驱动单元关闭；参见图2，sel〈8:l>由DDR3配置单元产生；DDR3配置单元可以设置一共有多少个驱动单元工作；标准的DDR3DRAM必须提供2种配置，由控制信号mode_34控制，当mode_34为低电平(O)时，输出阻抗为40欧姆；mode_34为高电平(I)时，输出阻抗为34.3欧姆；校准单元设置每一个驱动单元的输出电阻,它通过产生信号strength〈5:0>来保证在任何电压、温度以及工艺偏差的情况下，每一个驱动单元的输出电阻都是RZQ(通常是240欧姆)；参见图3，现 有传统的DDR20⑶单元只有一个驱动单元，它决定O⑶的最终输出电阻；驱动单元的输入数据信号连到data_in，输出数据信号连到data_out ;输入数据(data_in)为高电平时O⑶输出(data_out也为高电平,data_in为低电平时,data_out也为低电平；驱动单元驱动电阻都由驱动电阻设置信号strength_d〈5:0>决定；参见图4，标准的DDR20⑶必须提供全驱动和半驱动模式，配置单元通过对控制信号strength〈5:0>重新编码产生strenghth_d〈5: 0>而实现全驱动和半驱动的设置；当模式设置信号mode_half为低电平(O)时,O⑶设置为全驱动模式,输出电阻为20欧姆左右；当mode_half为高电平(I)时，O⑶设置为半驱动模式，输出电阻为40欧姆左右；校准单元设置驱动单元的输出电阻,它通过产生信号strength〈5:0>来保证在任何电压、温度以及工艺偏差的情况下，驱动单元的输出电阻为20欧姆(全驱动模式)或40欧姆(半驱动模式);目前市场上相同容量的DDR2的价格经常比DDR3DRAM高很多，所以急需设计一种能兼容DDR2和DDR3DRAM就显得相当有市场价值。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中存在的技术问题，本技术提供了一种可兼容DDR2和DDR3的O⑶单元；iDDR2DRAM价格高于DDR3DRAM的价格时，通过简单的设置，可以把DDR3的O⑶切换为DDR2的O⑶；本技术的技术解决方案是:本技术提供一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，包括:DDR3配置单元、DDR3校准单元以及多个并联的驱动单元，其特殊之处在于:还包括DDR2配置单元、DDR2校准单元以及二选一单元；所述二选一单元包括配置二选一单元和校准二选一单元；所述DDR2配置单元与DDR3配置单元分别与配置二选一单元连接；所述DDR2校准单元与DDR3校准单元分别与校准二选一单元连接；所述配置二选一单元和校准二选一单元分别与多个并联的驱动单元连接；上述配置二选一单元和校准二选一单元均是与非门电路；本技术的优点:1、本技术与现有相关DDR3DRAM输出单元技术兼容性好，而且切换成DDR2DRAM输出单元简单；2、价格相比市场上相同容量的DDR2和DDR3DRAM便宜很多；附图说明图1是现有传统的DDR30⑶单元；图2是现有传统的DDR30⑶的配置单元表；图3是现有传统的DDR20⑶单元； 图4是现有传统的DDR20⑶的配置单元表；图5是本技术的所提供的可兼容DDR2和DDR3的O⑶单元；图6是本技术的所提供的可兼容DDR2和DDR3的O⑶的配置单元表。具体实施方式参见图5-图6，技术提供一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，包括:DDR3配置单元、DDR3校准单元以及多个并联的驱动单元，DDR2配置单元、DDR2校准单元以及二选一单元；二选一单元包括配置二选一单元和校准二选一单元；DDR2配置单元与DDR3配置单元分别与配置二选一单元连接；DDR2校准单元与DDR3校准单元分别与校准二选一单元连接；配置二选一单元和校准二选一单元分别与多个并联的驱动单元连接；二选一单元为与非门电路或者其他二选一的其他电路；当控制信号config_ddr2为低电平(O)时，OCD设置为DDR30CD，与传统的DDR30CD一样；当控制信号config_ddr2为高电平(I)时，OCD设置为DDR20CD;当O⑶为DDR3模式时，DDR3校准单元把8个驱动单元的输出电阻同时设置为240欧姆；而当O⑶为DDR2模式时，DDR2校准单元把8个驱动单元的输出电阻同时设置为160欧姆；当O⑶为DDR3模式时，DDR3配置单元选择7个(RZQ/7模式)或6个(RZQ/6模式)驱动单元工作；当O⑶为DDR2模式时，DDR2配置单元选择8个(全驱动模式)或4个(半驱动模式)驱动单元工作；当OCD要从DDR3切换成DDR2应用时，只需要把控制信号conf ig_ddr2从低电平转换为高电平就可以。权利要求1.一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，包括:DDR3配置单元、DDR3校准单元以及多个并联的驱动单元，其特征在于:还包括DDR2配置单元、DDR2校准单元以及二选一单元；所述二选一单元包括配置二选一单元和校准二选一单元；所述DDR2配置单元与DDR3配置单元分别与配置二选一单元连接；所述DDR2校准单元与DDR3校准单元分别与校准二选一单元连接；所述配置二选一单元和校准二选一单元分别与多个并联的驱动单元连接。2.根据权利要求1所述的可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，其特征在于:所述配置二选一单元和校准 二选一单元均是与非门电路。专利摘要本技术提供一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，包括DDR3配置单元、DDR3校准单元以及多个并联的驱动单元，还包括DDR2配置单元、DDR2校准单元以及二选一单元；二选一单元包括配置二选一单元和校准二选一单元；DDR2配置单元与DDR3配置单元分别与配置二选一单元连接；DDR2校准单元与DDR3校准单元分别与校准二选一单元连接；配置二选一单元和校准二选一单元分别与多个并联的驱动单元连接；该技术比现有相关DDR3DRAM输出单元技术兼容性好，而且切换成DDR2DRAM输出单元简单、价格便宜。文档编号G11C11/4093GK203085183SQ201220716658公开日2013年7月24日 申请日期2012年本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，包括：DDR3配置单元、DDR3校准单元以及多个并联的驱动单元，其特征在于：还包括DDR2配置单元、DDR2校准单元以及二选一单元；所述二选一单元包括配置二选一单元和校准二选一单元；所述DDR2配置单元与DDR3配置单元分别与配置二选一单元连接；所述DDR2校准单元与DDR3校准单元分别与校准二选一单元连接；所述配置二选一单元和校准二选一单元分别与多个并联的驱动单元连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海飞，
申请(专利权)人：西安华芯半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：