一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米阵列构成。本发明专利技术还提供了所述酒精气体传感器的制备方法，首先采用公知的热蒸发、溅射或化学蒸发沉积镀膜技术将电极层材料沉积在绝缘基片的两端，并控制其厚度；然后利用水热法直接在绝缘基片上生长四氧化三钴纳米阵列，作为该气体传感器的传感导电体。该制备过程产物结晶性好，生产周期短，没有污染，且避免了分散或操纵纳米材料的困难，便于工业化生产；且得到的气体传感器对酒精检测有优异的灵敏度，并表现出较好的选择性、稳定性和重复性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子气敏器件
，具体涉及。
技术介绍
随着我国近年来高速发展的经济水平和居民生活水平，私家车的占有率直线上升，同时伴随而来的是频频发生的交通事故，尤其是因为酒后驾车所引发的交通事故，给自己和人们的生命财产安全带来威胁，同时也给国家和社会带来了严重的经济损失。同时，从工厂企业到居民家庭，酒精泄露的检测、监控对居民的人身和财产安全都是十分重要和必不可少的。因此，酒精浓度检测仪具有十分广阔的实际应用价值和潜在的市场要求，而高精度、高可靠性、微型化和低功耗成了其发展方向。迄今为止，对气体中酒精含量进行检测的设备有燃料电池型、半导体型、红外线型、气体色谱分析型和比色型五种类型。但由于使用方便的原因，目前最常用的是半导体型气体传感器。金属氧化物半导体气体传感器因其优异的性能和广泛的应用吸引了大量关注。从器件结构的角度，目前金属氧化物半导体气体传感器通常是首先制备粉末气敏材料，将其涂覆到预制好的氧化铝陶瓷管或其他绝缘衬底上，再经过退火老化等繁琐步骤后，最终合成薄膜形式的气体传感器。这类薄膜型气体传感器由于气敏材料的粘合，只有暴露在外面的小部分材料可以在气体吸附、电学传输中起作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，所述的酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，其特征在于，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米线阵列构成。

【技术特征摘要】
1.一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，所述的酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，其特征在于，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米线阵列构成。2.根据权利要求1所述的基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，其特征在于，所述的绝缘基片为多晶氧化铝陶瓷片、玻璃、石英、热处理后的硅片、氮化硅、蓝宝石或云母。3.根据权利要求2所述的基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，其特征在于，所述的电极层的材料选自金、银、钼、钯中的一种或至少两种组成的合金。4.根据权利要求3所述的于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，其特征在于，所述的四氧化三钴纳米线阵列的形貌为菱形，菱形的边长为IOOnm lOOOnm，菱形内角的锐角为30° 60°，阵列长度为5μπι 20μπι。5.根据权利要求1 4任一项所述的基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)采用公知的热蒸发、溅射或化学蒸发沉积镀膜技术将电极层的材料沉积在绝缘基片的两端，其厚度控制在50nm 500nm ； (2)以钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌得到均匀的溶液，将该溶液移入高压反应釜中，并将步骤(I)得到的沉积有电极层的绝缘基片置于溶液中，进行水热反应，反...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱丽萍，文震，梅伟民，李亚光，胡亮，郭艳敏，蒋杰，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：