本实用新型专利技术涉及一种集成式LED灯，包括基板和呈矩阵式布置在基板上的若干个发光LED芯片；发光LED芯片的正、负极分别通过导线与基板上的正、负极连接片电连接，每一个发光LED芯片的外周包覆有透明胶层；而布置在基板上每行的发光LED芯片依次通过导电带串联，且靠近串联后每行一端最外侧发光LED芯片的正极连接片与正极导电带电性连接，靠近串联后每行另一端最外侧发光LED芯片的负极连接片与负极导电带电性连接；所述基板的底部还装有散热铝基座；而其：所述基板表面还有玻璃珠微棱镜纳米粉反光漆层。本实用新型专利技术具有能够提高光亮度等优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术具体涉及一种集成式LED灯。
技术介绍
现有的集成式LED灯的基板有白色防焊漆层，而白色防焊漆层对发光LED芯片的光线反射效果差，使得发光LED芯片整体发光的亮度低。
技术实现思路
本技术的目的是，提供一种能够提高光亮度的集成式LED灯，以克服现有技术的不足。为了达到上述目的，本技术的技术方案:一种集成式LED灯，包括基板和呈矩阵式布置在基板上的若干个发光LED芯片；发光LED芯片的正、负极分别通过导线与基板上的正、负极连接片电连接，每一个发光LED芯片的外周包覆有透明胶层；而布置在基板上每行的发光LED芯片依次通过导电带串联，且靠近串联后每行一端最外侧发光LED芯片的正极连接片与基板的正极导电带电性连接，靠近串联后每行另一端最外侧发光LED芯片的负极连接片与基板的负极导电带电性连接；所述基板的底部还装有散热铝基座；而其:所述基板表面还有玻璃珠微棱镜纳米粉反光漆层。在上述技术方案中，所述透明胶层呈半球体透镜状。在上述技术方案中，所述散热铝基座还装有灯罩。在上述技术方案中，所述发光LED芯片通过粘胶剂与基板连接。在上述技术方案中，所述基板上的发光LED芯片位于在正、负极连接片之间。在上述技术方案中，所述正、负极连接片呈L形。本技术所具有的积极效果是:由于所述基板表面还有玻璃珠微棱镜纳米粉反光漆层，因而，增加了发光LED芯片的发射率，能够有效提高本技术的光亮度，与已有技术相比，本技术的光亮度可提升22%以上。实现了本技术的目的。附图说明图1是本技术一种具体实施方式的结构示意图；图2是图1不包括灯罩和散热招基座的俯视图；图3是图2中的A部放大图。具体实施方式以下结合附图以及给出的实施例，对本技术作进一步的说明，但并不局限于此。如图1、2、3所示，一种集成式LED灯，包括基板I和呈矩阵式布置在基板I上的若干个发光LED芯片2 ;发光LED芯片2的正、负极分别通过导线与基板I上的正、负极连接片3-1、3-2电连接，每一个发光LED芯片2的外周包覆有透明胶层4 ;而布置在基板I上每行的发光LED芯片2依次通过导电带3-3串联，且靠近串联后每行一端最外侧发光LED芯片2的正极连接片3-1与基板的正极导电带5电性连接，靠近串联后每行另一端最外侧发光LED芯片2的负极连接片3-2与基板的负极导电带6电性连接；所述基板I的底部还装有散热铝基座8 ;而其:所述基板I表面还有玻璃珠微棱镜纳米粉反光漆层7。如图1所示，为了进一步提高本实用性的亮光度，所述透明胶层4呈半球体透镜状。如图1所示，为了进一步提高发光LED芯片的发光折射率，所述散热铝基座8还装有灯罩9。如图1所示，为了便于装配，所述发光LED芯片2通过粘胶剂10与基板I连接。如图2、3所示，了使得本技术结构合理、紧凑，所述基板I上的发光LED芯片2位于在正、负极连接片3-1、3-2之间。如图2、3所示，在保证导电片和导电柱之间的接触面前提下，减小导电片的面积，所述正、负极连接片3-1、3-2呈L形。本技术小试效果显示，使用时，本技术有效的提高了光亮度，且经测试可知，与已有技术相比，本技术的光亮度提升了 22%以上。实现了本技术的初衷。权利要求1.一种集成式LED灯，包括基板(I)和呈矩阵式布置在基板(I)上的若干个发光LED芯片(2);发光LED芯片(2)的正、负极分别通过导线与基板(I)上的正、负极连接片(3-1、3-2)电连接，每一个发光LED芯片(2)的外周包覆有透明胶层(4);而布置在基板(I)上每行的发光LED芯片(2 )依次通过导电带(3-3 )串联，且靠近串联后每行一端最外侧发光LED芯片(2)的正极连接片(3-1)与基板(I)的正极导电带(5)电性连接，靠近串联后每行另一端最外侧发光LED芯片(2)的负极连接片(3-2)与基板(I)的负极导电带(6)电性连接；所述基板(I)的底部还装有散热铝基座(8);其特征在于: 所述基板(I)表面还有玻璃珠微棱镜纳米粉反光漆层(J)。2.根据权利要求1所述的集成式LED灯，其特征在于:所述透明胶层(4)呈半球体透镜状。3.根据权利要求1所述的集成式LED灯，其特征在于:所述散热铝基座(8)还装有灯罩(9)。4.根据权利要求1所述的集成式LED灯，其特征在于:所述发光LED芯片(2)通过粘胶剂(10)与基板(I)连接。5.根据权利要求1所述的集成式LED灯，其特征在于:所述基板(I)上的发光LED芯片(2)位于在正、负极连接片(3-1、3-2)之间。6.根据权利要求1所述的集成式LED灯，其特征在于:所述正、负极连接片(3-1、3-2)呈L形。专利摘要本技术涉及一种集成式LED灯，包括基板和呈矩阵式布置在基板上的若干个发光LED芯片；发光LED芯片的正、负极分别通过导线与基板上的正、负极连接片电连接，每一个发光LED芯片的外周包覆有透明胶层；而布置在基板上每行的发光LED芯片依次通过导电带串联，且靠近串联后每行一端最外侧发光LED芯片的正极连接片与正极导电带电性连接，靠近串联后每行另一端最外侧发光LED芯片的负极连接片与负极导电带电性连接；所述基板的底部还装有散热铝基座；而其所述基板表面还有玻璃珠微棱镜纳米粉反光漆层。本技术具有能够提高光亮度等优点。文档编号F21S2/00GK203068197SQ20122072732公开日2013年7月17日 申请日期2012年12月26日 优先权日2012年12月26日专利技术者蔡永义, 朱宁, 边红娟 申请人:常州银河世纪微电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种集成式LED灯，包括基板（1）和呈矩阵式布置在基板（1）上的若干个发光LED芯片（2）；发光LED芯片（2）的正、负极分别通过导线与基板（1）上的正、负极连接片（3?1、3?2）电连接，每一个发光LED芯片（2）的外周包覆有透明胶层（4）；而布置在基板（1）上每行的发光LED芯片（2）依次通过导电带（3?3）串联，且靠近串联后每行一端最外侧发光LED芯片（2）的正极连接片（3?1）与基板（1）的正极导电带（5）电性连接，靠近串联后每行另一端最外侧发光LED芯片（2）的负极连接片（3?2）与基板（1）的负极导电带（6）电性连接；所述基板（1）的底部还装有散热铝基座（8）；其特征在于：所述基板（1）表面还有玻璃珠微棱镜纳米粉反光漆层（7）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永义，朱宁，边红娟，
申请(专利权)人：常州银河世纪微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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