用于光电应用的沉积方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种通过在衬底上沉积各种组分层并将所述组分转化为薄膜光电吸收材料来制造太阳能电池的方法。本发明专利技术的方法可用于在制造太阳能电池的过程中控制金属原子的化学计量以得到特定浓度，并提供金属原子浓度梯度。在使薄膜光电吸收材料退火的过程中可使用硒层。

Deposition method and apparatus for optoelectronic applications

The invention provides a method for manufacturing a solar cell by depositing a plurality of groups of layers on a substrate and converting the component into a thin film photoelectric absorption material. The method of the present invention can be used to control the stoichiometry of a metal atom in the process of manufacturing a solar cell to obtain a specific concentration and to provide a gradient of the metal atom concentration. The selenium layer can be used in the process of annealing the thin film photoelectric absorption material.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制备半导体、光电材料和包括薄膜太阳能电池的装置的方法和组合物。特别地，本专利技术涉及用于制备CIGS和其它太阳能电池的沉积方法和包含聚合前体的组合物。
技术介绍
—种制造太阳能电池产品的方法，涉及在衬底上沉积一层薄的、光吸收的被称作“CIGS”的铜铟镓二硒的固体层。具有薄膜CIGS层的太阳能电池可提供低至中效的光电转换。制造CIGS半导体通常需要使用几种包含CIGS所需原子的源化合物(sourcecompound)和/或单质。该源化合物和/或单质必须在衬底上形成或沉积一层薄的、均匀的层。例如，该CIGS源的沉积可通过共沉积或多步沉积的形式来进行。这些方法的难点包括CIGS层缺乏均勻性、纯度以及同质性(homogeneity),最终导致有限的光转换效率。例如，一些用于太阳能电池的方法记载于美国专利第5441897号、第5976614号、第6518086号、第5436204号、第5981868号、第7179677号、第7259322号、美国专利公开第2009/0280598号和PCT国际申请公开第W02008057119号和第W02008063190号。薄膜装置制备的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯尔·L·富伊达拉，朱中亮，大卫·帕多维茨，保罗·R·马尔科夫·约翰逊，韦恩·A·乔米特兹，马修·C·库赫塔，
申请(专利权)人：普瑞凯瑟安质提克斯公司，
类型：
国别省市：