用于CIS及CIGS光伏装置的聚合前体制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于制备半导体和光电材料和装置的一系列化合物、聚合物和组合物，所述装置包括用于光伏应用(包括用于能量转换的装置和系统和太阳能电池)的薄膜和能带隙材料。具体而言，本发明专利技术涉及用于制备光伏层的聚合前体化合物和前体材料。前体化合物可含有重复单元{MA(ER)(ER)}和{MB(ER)(ER)}，其中各MA为Cu，各MB为In或Ga，各E为S、Se或Te，并且各R于每次出现时独立地选自烷基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制备半导体和光电材料以及包括薄膜和能带隙材料的装置的化合物和组合物。本专利技术提供一系列化合物、组合物、材料和方法，其最终涉及光伏应用及其它半导体材料，以及用于能量转换的装置和系统，包括太阳能电池。具体而言，本专利技术涉及用于制备半导体材料的新颖的方法、化合物和材料。
技术介绍
发展光伏装置例如太阳能电池对提供可再生能源及其它许多用途极为重要。随着人口的增加，对能源的需求持续上升。在许多地区，太阳能电池可能是满足能源需求的唯一方法。来自照射在地球上的太阳光的总能量为每小时约4X102°焦耳。据估计，每小时的总太阳能量可供全世界使用一整年。因此，将需要数十亿平方米的有效太阳能电池。光伏装置是由多种方法制成的，其中在基板上产生数层半导体材料。使用数层附加材料以保护光伏半导体层以及将电能传导出装置外。因此，光电或太阳能电池产品的可用性通常受限于光伏层的性质和质量。制造太阳能电池产品的一种方法涉及在基板上沉积一层薄的、光吸收性的、固体的材料，被称为“CIGS”的铜铟镓二硒。具有薄膜CIGS层的太阳能电池能够低效至中效地转换光能至电能。通过在相对高温下加工含CIGS所需原子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯尔·L·富伊达拉，韦恩·A·乔米特兹，朱中亮，马修·C·库赫塔，
申请(专利权)人：普瑞凯瑟安质提克斯公司，
类型：发明
国别省市：