高穿透率的封装发光二极管制造技术

一种高穿透率的封装发光二极管，包含一个基板、一个发光元件、一个引线单元，及一个耐热层。该发光元件形成在该基板上。该引线单元连接该基板与该发光元件。该耐热层至少形成在该发光元件上且该耐热层的成分包括硅利光树脂及0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷。借此，使该耐热层的粘合效果较佳、穿透率较高，且不会黄变，能提高该高穿透率的封装发光二极管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
高穿透率的封装发光二极管
本专利技术涉及一种发光二极管，特别是涉及一种高穿透率的封装发光二极管。
技术介绍
发光二极管(LED)相较于传统白炽灯光具有多项优势，省电、体积小、使用寿命长、效率高，及低污染等优点，使发光二极管成为取代现有照明设备的最佳方案。发光二极管的晶片因为本身不具抗氧化、抗湿气等保护作用，因此需要先将该晶片封装才能够使用。封装的制程是利用数条金属线将该晶片的数个电极分别连接到一个基板上，使该晶片能够利用该基板上的数个焊点与外界形成电路连接进而发光。如图1所示，现有的一个封装发光二极管包含一个基板11、一个晶片12、数条金属线13，及一个透光层14。该晶片12形成在该基板11上。前述金属线13分别连接该晶片12及该基板11，使该晶片12的电子回路能够利用前述金属线13传输到该基板11后与外界电连接。该透光层14形成在该晶片12与该基板11上，该透光层14能使该晶片12发出的光线穿透，达到照明的功能，同时保护该晶片。然而，该透光层14的成分主要为环氧(Epoxy)树脂或硅利光(Silicone)树脂。环氧树脂本身含有会吸收紫外线的芳香族苯环结构，使用一段时间后该环氧树脂会因为苯环吸收紫外线(UV)或吸热老化而产生黄变，造成该透光层14的穿透率衰降，亮度降低。而硅利光树脂的机械强度低于环氧树脂，且与该晶片12的粘合性较差，其折射率在1.4至1.5间，因此与该晶片12的折射率差异大，使穿透率较低且亮度也较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种不会黄变的高穿透率的封装发光二极管。本专利技术高穿透率的封装发光二极管包含一个基板、一个发光元件、一个引线单元，及一个耐热层。该发光元件形成在该基板上。该引线单元连接该基板与该发光元件。该耐热层至少形成在该发光元件上且该耐热层的成分包括硅利光树脂及0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷(Epoxysilane)，该耐热层因为不具有苯环，因此不会黄变。且该环氧基硅烷是选自于通式(I)或通式(II)：其中，R为CH3烷基。借此，使该耐热层有较佳的粘合性及较高的穿透率，能提高该高穿透率的封装发光二极管的使用寿命。较佳地，该耐热层的成分还包括0％至20％重量百分比的纳米级二氧化硅或硅酮滑石粉。较佳地，该耐热层利用点胶方式形成在该发光元件及该基板上并包覆该引线单元。较佳地，该发光元件为一个氮化镓晶片。较佳地，该引线单元为数条金属线。较佳地，该耐热层仅形成在该发光元件上，且该高穿透率的封装发光二极管还包含一个形成在该耐热层及该基板上并包覆该引线单元的透光层。较佳地，该耐热层通过溅镀方式形成。较佳地，该耐热层的厚度为0.5um至1mm。较佳地，该透光层通过射出成型方式形成。较佳地，该透光层的成分包括聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。较佳地，该透光层还包括1ppm至0.1％重量百分比的荧光增白剂。较佳地，该透光层还包括0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷。本专利技术的有益效果在于：通过该环氧基硅烷的键结较强且没有苯环，不易氧化且较耐热，使该耐热层不会黄变。同时，该环氧基硅烷使该耐热层与该发光元件的粘合性较佳且穿透率较高，使该高穿透率的封装发光二极管发光效率较佳。附图说明图1是一个剖面图，说明现有的一个封装发光二极管；图2是一个剖面图，说明本专利技术的高穿透率的发光二极管的一个第一较佳实施例；图3是一个剖面图，说明本专利技术的一个第二较佳实施例；图4是一个重量百分比对穿透率的曲线图，说明本专利技术的一个制备例所制得的耐热层材料的环氧基硅烷重量百分比浓度分布与其穿透率关系曲线图；图5是一个浓度对穿透率的曲线图，说明本专利技术的另一个制备例所制得的耐热层材料的纳米级二氧化硅浓度分布与其穿透率关系曲线图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图的两个较佳实施例、四个制备例，以及两个具体例的详细说明中，将能够清楚的呈现。在本专利技术被详细描述之前，要注意的是，在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。如图2所示，本专利技术高穿透率的封装发光二极管的一个第一较佳实施例包含一个基板2、一个发光元件3、一个引线单元4，及一个耐热层5。在该第一较佳实施例中，该发光元件3为一个氮化镓晶片且形成在该基板2上，该引线单元4连接该基板2与该发光元件3，在该第一较佳实施例中，该引线单元4为数条金线，前述金线分别由该发光元件3连接到该基板2上。通过点胶方式在该发光元件3、该基板2上形成该耐热层5同时包覆该引线单元4，该耐热层5的成分包括硅利光树脂、0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷，及0％至20％重量百分比的纳米级二氧化硅(nano-silicondioxide)或硅酮滑石粉(Siliconepowder)。该环氧基硅烷是选自于通式(I)或通式(II)：其中，R为CH3烷基。该环氧基硅烷同时能够使该耐热层5的强度提高，该耐热层5内的环氧基硅烷含量为0.1％至10％重量百分比，每增加0.1％的环氧基硅烷会使该耐热层5的穿透率下降0.1％，因此不宜过多。该纳米级二氧化硅或硅酮滑石粉的含量为0％至20％重量百分比，该纳米级二氧化硅及硅酮滑石粉分别都具有Si-O-Si较强的键结，能够使该耐热层5的机械强度提高，但含量过多会使穿透率下降。如图3所示，本专利技术高穿透率的封装发光二极管的一个第二较佳实施例包含一个基板2、一个发光元件3、一个引线单元4、一个耐热层5，及一个透光层6。该第二较佳实施例与该第一较佳实施例的结构大致相同，主要差异在于该耐热层5的形成方式以及位置不相同，该第二较佳实施例还多了该透光层6。在该第二较佳实施例中，通过射频溅镀方式仅在该发光元件3上形成厚度为0.5um至1mm的耐热层5，该耐热层5的成分和该第一较佳实施例相同。除了射频溅镀方式外，也能够利用其他溅镀方式在该发光元件3上形成该耐热层5。再通过射出成型方式在该耐热层5、该引线单元4，及该基板2上形成该透光层6。该透光层6的成分包括聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，且该透光层6还包括1ppm至0.1％重量百分比的荧光增白剂及0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷。但该透光层6也能够不包括该荧光增白剂或该环氧基硅烷。该第二较佳实施例的其他结构与该第一较佳实施例均相同，在此不再赘述。以下四个制备例均为制备该耐热层材料的方法，且以下该等制备例所使用的乙烯键硅基材料及氢键硅基材料即为硅利光树脂，此为现有技术中已知的材料。<制备例一>(a)将258g的氯乙烯(购自台塑)加入15000g的硅烷(Silane，购自德国Waker，型号62M)及千分之三的触媒氢氧化钾(KOH)，在温度120℃下搅拌混合30分钟即可得到15250g的乙烯键硅基材料(Vinylsilicone)。因在反应过程，部份材料参与反应被消耗，因此重量会减少。(b)将其中15000g的乙烯键硅基材料加入236g的环氧基硅烷(购自德国Waker，型号S510)，在温度25℃下搅拌混合10分钟即能够得到15236g的A胶。此时，乙烯键硅基材料与环氧基硅烷不会互相反应。该环氧基硅烷的化学式如下：(c)将15000g的氢键硅基材料(Hydroxysilicone，购自德国Waker，型号62M)加入1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高穿透率的封装发光二极管，包含一个基板、一个形成在该基板上的发光元件、一个连接该基板与该发光元件的引线单元、一个至少形成在该发光元件上的耐热层，其特征在于：该耐热层的成分包括硅利光树脂及0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷，且该环氧基硅烷是选自于通式(I)或通式(II)：其中，R为CH3烷基。FDA0000130840350000011.tif

【技术特征摘要】
1.一种高穿透率的封装发光二极管，包含一个基板、一个形成在该基板上的发光元件、一个连接该基板与该发光元件的引线单元、一个至少形成在该发光元件上的耐热层，其特征在于：该耐热层的成分包括硅利光树脂及0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷，且该环氧基硅烷是选自于通式(I)或通式(II)：其中，R为CH3烷基。2.根据权利要求1所述的高穿透率的封装发光二极管，其特征在于：该耐热层的成分还包括0％至20％重量百分比的纳米级二氧化硅或硅酮滑石粉。3.根据权利要求1或2所述的高穿透率的封装发光二极管，其特征在于：该耐热层利用点胶方式形成在该发光元件及该基板上并包覆该引线单元。4.根据权利要求3所述的高穿透率的封装发光二极管，其特征在于：该发光元件为一个氮化镓晶片。5.根据权利要求4所述的高穿透率的封装发光二极管，其特征在于：该引线单元为数条金属线。6.根据权利要求1或2所述的高穿透率的封装发光二极管，其特征在于：该耐热层仅形成在该发光元件上...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡凯雄，李建立，
申请(专利权)人：蔡凯雄，李建立，
类型：发明
国别省市：