一种发光装置及其耐温碳化物荧光材料，所述的荧光材料包含M1yM25OzCx：M3w化合物。因此，本发明专利技术不含有Si材料，而是以碳取代部分的氧，不但耐热温度较高，能够提升热稳定性，且经光源激发后，所放出的光色更为自然不刺眼，演色性较佳。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种发光装置及其耐温碳化物荧光材料，所述的荧光材料包含M1yM25OzCx：M3w化合物。因此，本专利技术不含有Si材料，而是以碳取代部分的氧，不但耐热温度较高，能够提升热稳定性，且经光源激发后，所放出的光色更为自然不刺眼，演色性较佳。【专利说明】发光装置及其耐温碳化物荧光材料
本专利技术涉及一种荧光材料，特别是指一种发光装置及其耐温碳化物荧光材料。
技术介绍
日亚化工从1996年开始生产白光LED。美国专利5，998，925揭露一种采用波长450nm至470nm的蓝光发光二极管作为发光单元，与以铈作为活化中心的钇-铝石榴石荧光物质(Y3Al5O12=C e3+，又称YAG=Ce3+)进行组合，而获得产生白光的发光系统。发光单元发出的部份蓝光被荧光物质吸收并转换成黄光为主的较宽光谱(光谱中心约为580nm)放出，由于大量的黄光辐射能刺激人眼中的红光和绿光受体，加上原有少量蓝光辐射刺激了蓝光受体，看起来就像是产生了白色光。但蓝光LED与YAG荧光粉的组合于本质上具有的缺点为:因缺少红光而导致演色性不佳，发光效率会随使用温度增高而降低，以及在大功率光源激发下所放出的光，其温度稳定性不佳。为改善YAG的缺点，许多研究朝向添加Si进行改良。由于硅或硅酸盐基质热稳定性差和化学稳定性差，但在紫外光区有较强的吸收，且高纯度的硅或二氧化硅材料价格低廉又易取得，因此以Si4+替代Al3+的稀土离子激活的含硅发光材料引起高度的重视。US2010/0142182公开一种照明系统，包含一个含有第一发光元件的发光设备，以及与发光设备分离的第二发光兀件。该第一发光兀件设有突光材料，例如包括Si和N且以铈作为激活剂的钇-铝石榴石荧光物质，该荧光物质具有下列通用分子式:(Y1- α _e _a_bLu α G(Ifi)3 (Al5_u_vGauSiv) 012_VNV: Cea3+其中，0刍 α <1,0 ^ β <1，0〈(α + β +a+b)刍 1，0 刍 u 刍 1，O < ν〈1，0〈a 刍 0.2。该突光物质系基于YAG的结构进行改良,但含Si突光粉的固有缺点在于耐受温度较低且较不稳定，且放出的光色较为艳丽，易对人眼会造成过度刺激。若长期使用，易引起人眼疲劳。虽加入烧结温度较高的氮元素，但该荧光材料的烧结温度约在1500°C，耐受温度仍然较低且稳定性不足，其演色指数(Ra值)不超过80%，且此类荧光材料用于发光装置时所需份量较多。由上述可知，研发一种耐受温度高，演色性及热稳定性良好，且光色自然不刺眼的荧光材料是目前本领域的重要课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种耐热稳定度高且光色自然的发光装置及其耐温碳化物荧光材料及其发布系统。本专利技术用于发光装置的耐温碳化物荧光材料，至少包含化合物=M1yM25OzCx <，其中，M1 选自下组:Sc3+、Y3+、La3+、Sm3+、Gd3+、Tb3+、Pm3+、Er3+、Lu3+、及其组合；M2 选自下组:A13+、In3+、Ga3+、及其组合；M3 选自下组:Tm3+、Bi3+、Tb3+、Ce3+、Eu3+、Mn3+、Er3+、Yb3+、Ho3+、Gd3+、Pr3+、Dy3+、Nd3+、及其组合。本专利技术用于发光装置的耐温碳化物荧光材料，其中，2.25兰X兰3.75，2.7 ^ y ^ 3,0.01w 刍 0.3，且 4.5 刍 z 刍 7.5。本专利技术用于发光装置的耐温碳化物突光材料，为Y2.K^l5O7.5C2.25:Tm0 02>^2.95-^ I 5^6^3:Bi(|.05、^2.94-^ I 5^6^3:Tb0.06、Y2.95八 I 5Ο7.5。2.25:〇θ0.05、￥2.95八15〇6。3:〇θ0.05、丫2.95ΑΙ5Ο4.5。3.75:Ce0.05、丫2.95八15。6。3:胞0.05、Y2.75GaA I 406C3:Mn0.25、丫2.94八 I 5。4.5。3.75:Bi(|.06、Y2.94AI5O4.5C3.75:TmQ.Q6、Y2.94AI5O4.5C3.75:Cec1.Q4Tbatl2、Y2.95AI5O4.5C3.75:Μηα(ι5、Y2.95Ga504.5C3.75:Mn。.05、Y2.94AI5O6C3:Bi0.06、Y2.94A1506C3:Mn0.06、Y2.94A1506C3:Ce0.(^Lu1.J2GcIl2AI5O6C3:Ce0.05Pr0.03、Lu1 J2Er1Ga5O4 5C3 75:Mn0.25Dy0.03、Luh92Sc1Al5O6C3:Ce0.05Yb0.03、Smh92La1Al5O6C3:Ce0.05Ho0.03、YsjGdci6In1Al4O6C3:Ce0.05Nd0.03、或 Lul95Piii1AI5O6C3:Ce0.05。 本专利技术用于发光装置的耐温碳化物荧光材料，放射波长范围为38(T700nm。本专利技术用于发光装置的耐温碳化物荧光材料，激发波长范围为25(T500nm。本专利技术的发光装置，包含用于发出光源的一个发光二极管，及前述耐温碳化物荧光材料，该耐温碳化物荧光材料形成在该发光二极管上，且吸收该光源而发光。本专利技术的发光装置，前述耐温碳化物荧光材料的放射波长范围为38(T700nm。本专利技术的有益效果在于:本专利技术不含有Si材料，而是以碳取代部分的氧，不但耐热温度较高，能够提升热稳定性，且经光源激发后，所放出的光色更为自然不刺眼，演色性较佳。【专利附图】【附图说明】图1是说明本专利技术一发光装置及其耐温碳化物荧光材料的一较佳实施例的剖视图；图2是该较佳实施例中实施例13与比较例2的相对光谱功率分布图；图3是该较佳实施例中实施例1与比较例3的放射光谱图；图4是该较佳实施例中实施例5与比较例I的光衰曲线图；图5是该较佳实施例中实施例4的CIE色品座标图。图6是比较例4的CIE色品座标图。【具体实施方式】下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。在本专利技术被详细描述前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表不。参阅图1，本专利技术发光装置I的一个较佳实施例包含用于发出光源的一个发光二极管11，及形成在该发光二极管11上的耐温碳化物荧光材料12。该耐温碳化物荧光材料12吸收该光源而发光。较佳地，该发光二极管11可以是含Al、Ga、N、P、或其组合的晶片。较佳地，该发光二极管11是选自于发紫光、蓝光或绿光的LED晶片。较佳地，该光源的发光光谱的主峰值范围为35(T500nm。较佳地，耐温碳化物荧光材料12通过蒸镀或气相沉积设置于该发光二极管11上。还佳地，耐温碳化物荧光材料12通过蒸镀或气相沉积于该发光二极管11上形成一个薄膜，该薄膜具有如镜面般平滑的高品质表面。较佳地，耐温碳化物荧光材料12的放射波长范围为38(T700nm。 该耐温碳化物荧光材料12为式(I)化合物:M1yM25OzCx =M3w...................................................(I)其中，M1选自下组:Sc3+、Y3+、La3+、Sm3+、Gd3+、Tb3+、Pm3+、Er3+、Lu3+、及其组合。M2 选自下组:A13+、In3+、本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于发光装置的耐温碳化物荧光材料，其特征在于，该耐温碳化物荧光材料包含式(I)化合物：M1y M25OzCx：M3w……………………………………(I)其中，M1选自下组：Sc3+、Y3+、La3+、Sm3+、Gd3+、Tb3+、Pm3+、Er3+、Lu3+、及其组合；M2选自下组：Al3+、In3+、Ga3+、及其组合；及M3选自下组：Tm3+、Bi3+、Tb3+、Ce3+、Eu3+、Mn3+、Er3+、Yb3+、Ho3+、Gd3+、Pr3+、Dy3+、Nd3+、及其组合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡凯雄，
申请(专利权)人：蔡凯雄，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。