本发明专利技术涉及一种荧光体及发光装置，其中的荧光体包含下式(I)所示组成物，CapSrqMm-Aa-Bb-Ot-Nn：Eur………(I)。式(I)中，M选自镁及钡所组成的组，A选自铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥所组成的组且至少含有铝，B选自硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的组且至少含有硅，O为氧元素，N为氮元素；0＜p＜1，0＜q＜1，0≤m＜1，0≤t≤0.3，0.00001≤r≤0.1，a=1，0.8≤b≤1.2，2.6≤n≤3.1。所述荧光体包括10ppm～500ppm的钼。通过调整各元素的比例，并配合控制钼浓度于一定的范围内，而得到高辉度的荧光体。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种荧光体及发光装置，其中的荧光体包含下式(I)所示组成物，CapSrqMm-Aa-Bb-Ot-Nn：Eur………(I)。式(I)中，M选自镁及钡所组成的组，A选自铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥所组成的组且至少含有铝，B选自硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的组且至少含有硅，O为氧元素，N为氮元素；0＜p＜1，0＜q＜1，0≤m＜1，0≤t≤0.3，0.00001≤r≤0.1，a=1，0.8≤b≤1.2，2.6≤n≤3.1。所述荧光体包括10ppm～500ppm的钼。通过调整各元素的比例，并配合控制钼浓度于一定的范围内，而得到高辉度的荧光体。【专利说明】荧光体及发光装置
本专利技术是有关于一种发光组成物，且特别涉及一种具有高辉度(brightness)的突光体(phosphor)及发光装置。
技术介绍
发光二极管是目前广泛用于半导体发光装置的组件，此种发光装置具有发光效率高、体积小、低耗电力与低成本等优点，因此可做为各种光源来使用。而半导体发光装置包含半导体发光组件与荧光体，荧光体可吸收并转换半导体发光组件所发出的光，藉由半导体发光组件所发出的光与荧光体转换发出的光两者混合使用，因此可用于荧光灯、车辆照明、显示器、液晶背光显示等各种领域，其中，以白色发光装置使用最为广泛。现行白色发光装置是采用铈为活性中心的YAG荧光体(Y3Al5O12:Ce)并搭配发出蓝光的半导体发光组件所组成。然而，使用Y3Al5O12 =Ce荧光体并搭配发出蓝光的半导体发光组件所发出的混合光，其色度坐标位于发出蓝光的半导体发光组件的色坐标与Y3Al5O12:Ce荧光体的色坐标连接线上，因而所发出的混合光为缺乏红色光的白光，演色性与色彩饱和度明显不足。此外，Y3Al5O12 =Ce的较佳激发光谱区域和半导体发光组件的发光区域并不一致，因此，激发光的转换效率不佳，高辉度的白光光源不易获得。为解决此种现象，近年已开发将YAG:Ce荧光体中混入可发出红光的荧光体，已知有采用铕(Eu)为活性中心的Sr2Si5N8 =Eu荧光体、CaAlSiN3 =Eu荧光体及赛隆(sialon)荧光体。然而，Sr2Si5N8 =Eu荧光体由于晶体本身耐热性不佳，长期使用时有辉度和演色性下降的缺点；赛隆荧光体虽然本身无耐久性问题，但是荧光体发光辉度明显不足，商业使用上并不普及。CaAlSiN3:Eu荧光体虽然有较佳的耐久性，以及较赛隆荧光体为佳的辉度，但业界仍期待能更进一步提高荧光体的发光辉度，以使发光装置能具有较高的发光效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种突光体，能提闻发光辉度。本专利技术另提供一种发光装置，能改善发光效率。本专利技术提出一种荧光体包括式(I)所示的组成物，且荧光体还含有IOppm~500ppm 的钥。CapSrqMm-Aa-Bb-Ot-Nn:Eur.........(I)在式(I)中，M选自镁及钡所组成的组，A选自铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥(Lu)所组成的组且至少含有铝，B选自硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的组且至少含有硅，O为氧元素，N 为氮元素；0〈p〈l，0〈q〈l，0 ( m〈l，0 ^ t ^ 0.3,0.00001 ^ r ^ 0.1, a=l,0.8 ≤ b ≤ 1.2，2.6 ≤ η ≤ 3.I。在本专利技术的一实施方式中，上述突光体含有IOppm~200ppm的钥。在本专利技术的一实施方式中，上述荧光体中的钥的原料选自钥的含氧化合物、钥的含氮化合物及纯金属钥所组成的组。在本专利技术的一实施方式中，上述钥的含氧化合物包括MoO2或MoO3。在本专利技术的一实施方式中，上述式(1)中0.05≤P≤0.9,0.1≤q≤0.95。在本专利技术的一实施方式中，上述式(1)中0.15 ≤ (p+q)≤l。在本专利技术的一实施方式中，上述荧光体还包括氟元素、硼元素、氯元素与碳元素其中至少一种，且含量各在1000ppm以下。在本专利技术的一实施方式中，上述荧光体受455nm光源照射所激发出的发光主波长为580nm~680nm，其发光色调的CIE1931色度坐标(x，y)为:0.45≤x≤0.72，0.2 ≤ y ≤ 0.5o本专利技术另提出一种发光装置，包括半导体发光组件与荧光体。所述荧光体为上述任一种荧光体，其中荧光体受上述半导体发光组件所发出的光激发，并转换发出如下光，该光的波长相异于半导体发光组件所发出的光的波长。在本专利技术的另一实施方式中，上述半导体发光组件所发出的光的波长为300nm~550nmo基于上述，本专利技术通过添加钥元素，能在色度相同下得到与不含钥元素的荧光体相比更高的辉度值。所谓色度相同是指色度坐标x、y相差分别在±0.002以内。而且，本专利技术还通过含特定范围的钥元素的荧光体，得到较高辉度荧光体。本专利技术并可将这种荧光体搭配半导体发光组件，而得到高辉度的发光装置。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1是依照本专利技术的一实施方式的一种发光装置的示意图。符号说明100:发光装置102:半导体发光组件104:突光层106:导电基座108:发光二极管110:导线112:荧光体114:封装结构【具体实施方式】下文中可参照所附图式以便详细说明本专利技术的发光装置。然而，本专利技术并不受限于下文中的实施例，而是可用不同形式实践。换言之，本专利技术的实施例仅提供以使得所属
技术人员更为了解本专利技术。在本专利技术的一实施例中，荧光体包括下式(1)所示的组成物:CapSrqMm-Aa-Bb-Ot-Nn:Eur.........(1)在式⑴中，M选自镁(Mg)及钡(Ba)所组成的组，A选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、钪(Sc)、钇⑴、镧(La)、钆(Gd)及镥(Lu)所组成的组且至少含有铝，B选自硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、钛(Ti)、锆(Zr)及铪(Hf)所组成的组且至少含有硅，O为氧元素，N为氮元素；0〈p〈l，0〈q〈l，0 ( m〈l，0 ≤ t ≤ 0.3,0.00001 ^ r ^ 0.1, a=l，0.8 ≤ b ≤ 1.2，2.6 ^ n ^ 3.1 ο在上述式(I)中，A选自铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥且至少含有铝，因此例如A可单独为铝或是铝和镓的混合物。同理，式(I)中的B选自硅、锗、锡、钛、锆及铪且至少含有硅，所以例如B可单独为硅或是硅和锗的混合物。此外，式(I)中的P和q数值较佳为0.05≤P≤0.9，0.1≤q≤0.95，且钙(Ca)和锶(Sr)的相对关系上，较佳为0.15 ( (p+q)<l0另外，式⑴中(p/q)较佳可为0.1~10的数值。而且,本实施例的突光体含有IOppm~500ppm的钥；较佳是含有IOppm~200ppm的钥。当钥的含量在500ppm以下时，荧光体发光辉度不会下降；当钥的含量在IOppm以上时，才会有提升辉度的效果。在所述荧光体中的钥的原料可选自钥的含氧化合物、钥的含氮化合物及纯金属钥所组成的组；其中含氧化合物可包含氧化物、碳酸盐、草酸盐等化合物。譬如使用钥的氧化物为原料，即MoO2或MoO3或者MoO2与MoO3同时使用。“含氮化合物”的定义同样是指具有该钥元素与氮的化合物。由于本实施例的突光体中含有I本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种荧光体，其特征在于所述荧光体包括：式(I)所示的组成物：CapSrqMm‑Aa‑Bb‑Ot‑Nn：Eur………(I)在式(I)中，M选自镁及钡所组成的组；A选自铝、镓、铟、钪、钇、镧、钆及镥所组成的组且至少含有铝；B选自硅、锗、锡、钛、锆及铪所组成的组且至少含有硅；O为氧元素；N为氮元素；0<p<1，0<q<1，0≤m<1，0≤t≤0.3，0.00001≤r≤0.1，a=1，0.8≤b≤1.2，2.6≤n≤3.1；且该荧光体含有10ppm～500ppm的钼。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄渊仁，温正雄，
申请(专利权)人：奇美实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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