用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件制造技术

本发明专利技术涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件。该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12)，产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16)，所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。由于4H碳化硅晶体具有很高的激光损伤阈值、较宽的透光范围(0.38-5.9μm及6.6-7.08μm)、较大的二阶非线性光学系数(d15＝6.7pm/V)、较大的双折射、高热导率(490Wm-1K-1)以及高化学稳定性等特点，使得本发明专利技术的非线性光学器件在输出高功率、高光束质量的中红外激光方面更好地满足实际应用需求，具有显著地实际应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件，属于材料领域和激光

技术介绍
中红外波段(3-5μπι)是大气的一个重要窗口，该波段的激光对空气中的大雾、烟尘等具有很强的透过能力，因而该波段激光在军事上可用于激光制导、光电对抗及目标探测等。另外，多数的碳氢气体及其它有毒的气体分子在3-5 μ m波段有很强的吸收，因此，中红外激光在气体探测、大气遥感和环境保护等领域也有着广泛的应用。由于缺乏直接的激光增益介质，非线性频率变换如光参量振荡、光参量放大及差频等是产生中红外激光的主要手段。在3-5 μ m波段，一般采用的非线性光学晶体有LiNb03、KTiOPO4, AgGaS2及ZnGeP2等。上述非线性晶体虽然具有较大的非线性系数，但其激光损伤阈值都很低，其中，LiNbO3的激光损伤阈值约为120MW/cm2(1.064ym，30ns)，KTiOPO4的激光损伤阈值约为150MW/cm2(l.064 μ m, 30ns)，AgGaS2及ZnGeP2的激光损伤阈值约分别为25MW/cm2 (1.064 μ m, 35ns)和 3MW/cm2 (1.064 μ m, 30本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非线性光学器件，包括至少一个非线性光学晶体，该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12)，产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16)，其特征在于：所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小龙，王顺冲，彭同华，王刚，刘春俊，王文军，金士锋，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：