阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及液晶显示装置，在扫描线组包括至少三条扫描线时，通过使每一列像素单元对应的数据线中至少部分数据线经其所对应的像素单元与列方向上的相邻像素单元之间从其所对应的像素单元一侧弯折延伸至另一侧，使得每一像素单元中的薄膜晶体管与最相邻的数据线连接，达到各数据线不与像素单元的像素电极干涉的目的，能够实现开启至少三条扫描线来提升充电时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别是涉及一种阵列基板，还涉及一种包括阵列基板的液晶显示装置。
技术介绍
近年来，配备TFT_LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)的设备已经能够支持FHD (Full High Definition,全高清)显示,其分辨率可以达到1920X1080，部分满足更高需求的设备，比如强调3D显示效果的设备，已经支持QFHD (Quad Full High Definition，四全高清)显示，其分辨率可以达到3840X2160或者4000X 2000，能够在一个屏幕上显示4个FHD图像。但是，QFHD相对于FHD而言，在采用的驱动频率为60Hz或120Hz时，像素电极的有效充电时间将变为1/2焙或1/4焙。有效充电时间变为1/2焙，可以通过同时开启阵列基板上两条扫描线并相应增加数据线的数目来应对。例如，参阅图1，是现有技术一种阵列基板的电路结构局部示意图。阵列基板上具有多个像素单元11，每个像素单元11包括像素电极101和薄膜晶体管102。阵列基板的扫描线GOl和G02同时开启和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，所述阵列基板包括沿行方向和列方向以矩阵形式排列的多个像素单元，每一所述像素单元包括一像素电极以及一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述阵列基板进一步包括绝缘交叉设置的多个扫描线组以及多个数据线组，每一所述扫描线组包括沿所述行方向延伸的至少三条扫描线，且每条扫描线连接对应的一行所述像素单元中的所述薄膜晶体管的栅极，每一所述扫描线组中的各扫描线同时接收扫描信号，以控制所述扫描线组中的各扫描线所对应的各行所述像素单元中的所述薄膜晶体管同时打开和关闭，每一所述数据线组分别包括与所述扫描线组中的扫描线数量对应的数据线，同一列的各所述像素单元中的所述薄膜晶体管...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗时勲，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：