一种阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及液晶显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有技术中阵列基板制成后驱动薄膜晶体管无法进行特性检测的问题。一种阵列基板，包括显示像素区域和周边非显示像素区域，位于周边非显示像素区域的公共电极包括至少一个与像素单元对应的第一公共电极，位于显示像素区域的公共电极彼此相连为第二公共电极，且所述至少一个与像素单元对应的第一公共电极与第二公共电极电绝缘；至少在对应周边非显示像素区域的至少一个像素单元中的所述钝化层中设置有过孔，使得与所述像素单元对应的第一公共电极通过所述过孔与该像素单元的驱动薄膜晶体管的漏极电连接。本发明专利技术适用于液晶显示装置的设计和制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
技术介绍
高级超维场开关型液晶显示装置是一种水平电场驱动型液晶显示装置，其是在阵列基板上设置公共电极和像素电极以形成水平电场。如图1、图2所示，高开口率高级超维场开关型液晶显示装置是将阵列基板上的公共电极5设置在像素电极4的上面，公共电极为一个整体，在对应像素区域内设置有狭缝。在公共电极5和像素电极4之间设置有钝化层8，用于使公共电极5和像素电极4电绝缘，形成存储电容。具体的，高开口率高级超维场开关型液晶显示装置的阵列基板包括:栅线1、数据线2、驱动薄膜晶体管3、像素电极4、公共电极5以及位于像素电极4和公共电极5之间的钝化层8 ;其中，驱动薄膜晶体管3包括栅极31、源极32和漏极33，其中，栅极31和栅线I相连，源极32和数据线2相连，漏极33和像素电极4相连。如图3所示，现有的高开口率高级超维场开关型液晶显示装置的阵列基板100，包括显示像素区域101、周边非显示像素区域102和走线区域103。显示像素区域101和周边非显示像素区域102分别包括多个由交错设置的栅线和数据线形成的像素单元，如图1所示，且每一像素单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：透明基板和相互交叉设置的栅线和数据线，所述透明基板进一步包括显示像素区域和周边非显示像素区域，所述栅线和数据线将所述显示像素区域和周边非显示像素区域划分为多个像素单元，每个所述像素单元包括：驱动薄膜晶体管、像素电极以及隔着钝化层设置于所述像素电极上方的公共电极，其中，所述驱动薄膜晶体管包括与所述栅线相连的栅极、与所述数据线相连的源极和与所述像素电极相连的漏极，各像素单元的像素电极互不接触；其特征在于，位于周边非显示像素区域的公共电极包括至少一个与像素单元对应的第一公共电极，位于显示像素区域的公共电极彼此相连为第二公共电极，且所述至少一个与像素单元对应的第一公共电极与第二公共...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金良，田广彦，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：