一种阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及液晶显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有技术中阵列基板制成后驱动薄膜晶体管无法进行特性检测的问题。一种阵列基板，包括显示像素区域和周边非显示像素区域，位于周边非显示像素区域的公共电极包括至少一个与像素单元对应的第一公共电极，位于显示像素区域的公共电极彼此相连为第二公共电极，且所述至少一个与像素单元对应的第一公共电极与第二公共电极电绝缘；至少在对应周边非显示像素区域的至少一个像素单元中的所述钝化层中设置有过孔，使得与所述像素单元对应的第一公共电极通过所述过孔与该像素单元的驱动薄膜晶体管的漏极电连接。本发明专利技术适用于液晶显示装置的设计和制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
技术介绍
高级超维场开关型液晶显示装置是一种水平电场驱动型液晶显示装置，其是在阵列基板上设置公共电极和像素电极以形成水平电场。如图1、图2所示，高开口率高级超维场开关型液晶显示装置是将阵列基板上的公共电极5设置在像素电极4的上面，公共电极为一个整体，在对应像素区域内设置有狭缝。在公共电极5和像素电极4之间设置有钝化层8，用于使公共电极5和像素电极4电绝缘，形成存储电容。具体的，高开口率高级超维场开关型液晶显示装置的阵列基板包括:栅线1、数据线2、驱动薄膜晶体管3、像素电极4、公共电极5以及位于像素电极4和公共电极5之间的钝化层8 ;其中，驱动薄膜晶体管3包括栅极31、源极32和漏极33，其中，栅极31和栅线I相连，源极32和数据线2相连，漏极33和像素电极4相连。如图3所示，现有的高开口率高级超维场开关型液晶显示装置的阵列基板100，包括显示像素区域101、周边非显示像素区域102和走线区域103。显示像素区域101和周边非显示像素区域102分别包括多个由交错设置的栅线和数据线形成的像素单元，如图1所示，且每一像素单元对应一个驱动薄膜晶体管3。显示像素区域主要用于图像显示，周边非显示像素区域不显示图像。高开口率高级超维场开关型液晶显示装置的阵列基板的公共电极位于基板表面，显示像素区无栅极金属层的公共电极走线，其表面的公共电极通过接触孔与走线区域103处的公共电极线电连接，这样可以提高显示像素区域的像素的开口率。阵列基板在生产过程中在所述基板的周边区域还设置有测试区104，所述测试区104设置有驱动薄膜晶体管，用于检测基板上驱动薄膜晶体管的特性。当阵列基板与彩膜基板贴合，形成显示面板后，该区域一般会被切掉。然而，由于测试区设置在基板显示像素区域的外围，尽管其驱动薄膜晶体管与显示区域驱动薄膜晶体管的结构和形状参数相同，但由于工艺制作过程中微观环境的差异可能会使测试区的驱动薄膜晶体管特性与显示像素区域的驱动薄膜晶体管特性存在较大差异。另外，在产品画质检查过程中出现残像或对比度不足等不良而需要检测驱动薄膜晶体管的特性时，由于周边测试区已被切掉，而显示像素区域和周边非显示像素区域的驱动薄膜晶体管均被钝化层覆盖，阵列基板上驱动薄膜晶体管特性无法检测，会对后期的产品解析造成困扰。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及液晶显示装置，所述阵列基板可在像素周边的测试区域被切掉后对驱动薄膜晶体管的特性进行检测，且检测结果相比周边测试区的测试结果更接近显示像素区驱动薄膜晶体管的实际状况。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括:透明基板和相互交叉设置的栅线和数据线，所述透明基板进一步包括显示像素区域和周边非显示像素区域，所述栅线和数据线将所述显示像素区域和周边非显示像素区域划分为多个像素单元，每个所述像素单元包括:驱动薄膜晶体管、像素电极以及隔着钝化层设置于所述像素电极上方的公共电极，其中，所述驱动薄膜晶体管包括与所述栅线相连的栅极、与所述数据线相连的源极和与所述像素电极相连的漏极，各像素单元的像素电极互不接触；其中，位于周边非显示像素区域的公共电极包括至少一个与像素单元对应的第一公共电极，位于显示像素区域的公共电极彼此相连为第二公共电极，且所述至少一个与像素单元对应的第一公共电极与第二公共电极电绝缘；至少在对应周边非显示像素区域的至少一个像素单元中的所述钝化层中设置有过孔，使得与所述像素单元对应的第一公共电极通过所述过孔与该像素单元的驱动薄膜晶体管的漏极电连接。可选的，周边非显示像素区域的各像素单元分别对应的第一公共电极彼此电绝缘。可选的，在对应周边非显示像素区域的每个像素单元中的所述钝化层中均设置有过孔，使得各像素单元对应的第一公共电极通过所述过孔与该像素单元对应的漏极电连接。可选的，在所述像素电极与所述漏极相连接的位置处，所述像素电极位于所述漏极上方。可选的，在所述像素电极与所述漏极相连接的位置处，所述像素电极位于所述漏极下方。可选的，所述过孔设置在像素单元的对应漏极的位置处，该像素单元对应的第一公共电极通过所述过孔与该像素单元的漏极直接电连接。可选的，所述像素电极与所述公共电极之间还设置有彩色滤光层，所述过孔贯穿所述彩色滤光层。可选的，周边非显示像素区域的栅线和数据线分别设置有用于连接栅线信号和数据线信号的栅线测试点和数据线测试点。可选的，所述栅线测试点和数据线测试点设置在阵列基板的周边区域。本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的任一所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的一种阵列基板及液晶显示装置，至少在对应周边非显示像素区域的至少一个像素单元中的所述钝化层中设置有过孔，使得与所述像素单元对应的第一公共电极通过所述过孔与该像素单元的驱动薄膜晶体管的漏极电连接。且所述至少一个与像素单元对应的第一公共电极与位于显示像素区域的第二公共电极电绝缘。可通过所述第一公共电极来检测所述驱动薄膜晶体管的特性，相对于现有技术其检测结果更加接近显示像素区驱动薄膜晶体管的实际状况，且可方便在阵列基板周边测试区域被切掉后进行检测。附图说明图1为现有技术中周边非显示像素区域的像素单元俯视结构示意图；图2为现有技术中周边非显示像素区域的像素单元剖视结构示意图3为现有技术中阵列基板的俯视结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种周边非显示像素区域的像素单元俯视结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种周边非显示像素区域的像素单元剖视结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种周边非显示像素区域的像素单元剖视结构示意图；附图标记:1-栅线；2_数据线；3_薄膜晶体管；31_栅极；32_源极；33_漏极；4_像素电极；5-公共电极；51_第一公共电极；6_透明基板；7_栅绝缘层；8_钝化层；11_有源层；100_阵列基板；101_显示像素区域；102_周边非显示像素区域；103_走线区域；104_测试区。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。本专利技术提供了一种阵列基板，如图5、图6所示包括:透明基板6和相互交叉设置的栅线I和数据线2，所述透明基板进一步包括显示像素区域和周边非显示像素区域，所述栅线I和数据线2将所述显示像素区域和周边非显示像素区域划分为多个像素单元，每个所述像素单元进一步包括驱动薄膜晶体管3、像素电极、以及隔着钝化层设置于所述像素电极上方的公共电极，其中，所述驱动薄膜晶体管3包括与所述栅线I相连的栅极31、与所述数据线2相连的源极32和与所述像素电极相连的漏极33，各像素单元的像素电极互不接触；其中，位于周边非显示像素区域的公共电极包括至少一个与像素单元对应的第一公共电极，位于显示像素区域的公共电极彼此相连为第二公共电极，且所述至少一个与像素单元对应的第一公共电极与第二公共电极电绝缘；至少在对应周边非显示像素区域的至少一个像素单元中的所述钝化层8中设置有过孔，使得与所述像素单元对应的第一公共电极通过所述过孔与该像素单元的驱动薄膜晶体管3的漏极33电连接。需要说明的是，本专利技术中所述公共电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：透明基板和相互交叉设置的栅线和数据线，所述透明基板进一步包括显示像素区域和周边非显示像素区域，所述栅线和数据线将所述显示像素区域和周边非显示像素区域划分为多个像素单元，每个所述像素单元包括：驱动薄膜晶体管、像素电极以及隔着钝化层设置于所述像素电极上方的公共电极，其中，所述驱动薄膜晶体管包括与所述栅线相连的栅极、与所述数据线相连的源极和与所述像素电极相连的漏极，各像素单元的像素电极互不接触；其特征在于，位于周边非显示像素区域的公共电极包括至少一个与像素单元对应的第一公共电极，位于显示像素区域的公共电极彼此相连为第二公共电极，且所述至少一个与像素单元对应的第一公共电极与第二公共电极电绝缘；至少在对应周边非显示像素区域的至少一个像素单元中的所述钝化层中设置有过孔，使得与所述像素单元对应的第一公共电极通过所述过孔与该像素单元的驱动薄膜晶体管的漏极电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金良，田广彦，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：