【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米材料制备与应用
，特别涉及一种具有超低电阻温度系数的石墨烯与还原氧化石墨烯复合薄膜的制备方法。
技术介绍
石墨稀(Graphene),是由 sp2 杂化的碳原子紧密排列在蜂窝状点阵结构组成的严格意义上的二维晶体材料，具有优异的电学以及光学性能。目前，可以通过化学气相沉积法(CVD)和氧化还原法实现石墨烯的制备。其中通过CVD法可以制备出具有大面积、超薄、高透光性以及优异导电性能的多晶石墨烯薄膜，通过氧化还原法可以实现石墨烯的批量制备。另外，氧化还原法制备的还原氧化石墨烯具有大量缺陷以及含氧官能团，可以通过控制氧化石墨烯的还原程度实现还原氧化石墨烯电学性能的连续调控。将CVD法制备的大面积多晶石墨烯薄膜与氧化石墨烯薄片复合在一起，通过控制氧化石墨烯的还原程度，可以产生全新的电学特性并实现复合薄膜电学性能的连续可控调节。 具有低电阻温度系数的材料在高精密电子测量仪器以及微电子集成电路领域十分重要。现有技术制备的具有低电阻温度系数的材料大都集中在金属合金以及金属氧化物陶瓷上。这些材料具有固有缺陷，比如:表面易氧化以及由于结构应力造成的较差贴合性...
【技术保护点】
一种石墨烯与还原氧化石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于包含以下步骤：1）将贴附有石墨烯薄膜的基底浸入PDDA水溶液中，浸泡，取出后用水冲洗，得到吸附有PDDA分子的石墨烯薄膜；2）将步骤1)中吸附有PDDA分子的石墨烯薄膜浸入氧化石墨烯水溶液中，浸泡，取出后用水冲洗，得到石墨烯与氧化石墨烯复合薄膜；3）将形成的石墨烯与氧化石墨烯复合薄膜吹干，然后置于保护气氛中充分还原，还原温度在300℃～800℃之间，即得到石墨烯与还原氧化石墨烯的复合薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏展，朱宏伟，朱淼，王昆林，韦进全，吴德海，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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