【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在体硅加工中用于功能结构S?i和牺牲层的S?i的隔离方法，其特征在于包括以下步骤：①取SOI硅片，该SOI硅片从上到下依次为上硅层(1)、氧化硅层(2)和下硅层(3)，在所述上硅层上根据需要制作器件部分；②在下硅层的表面上淀积一层掩蔽层(4)，并把不需要的掩蔽层蚀刻掉，露出下硅层，然后在该露出的下硅层表面开始进行硅的深刻蚀，直至刻蚀到氧化硅层为止；③将上述上硅层上多余的硅刻蚀掉；④将上述步骤②中露出的氧化硅层刻蚀掉。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑞文，焦斌斌，孔延梅，李志刚，卢狄克，陈大鹏，
申请(专利权)人：昆山光微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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