具有自支撑夹层结构的射频体声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有自支撑夹层结构的射频体声波谐振器，该谐振器依次由硅衬底和夹层结构组成。本发明专利技术谐振器的制备方法，利用硅的表面加工工艺和牺牲层技术，制成由上层金属电极，压电材料和下层金属电极构成的自支撑的夹层结构，以避免支撑膜对谐振器的影响，从而大大提高谐振器的性能。同时使制作工艺比较简单，生产成本降低；并且与现有的超大规模集成电路工艺兼容，易于芯片级的集成和大规模生产。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种具有自支撑夹层结构的射频体声波谐振器，该谐振器包括硅衬底，其特征在于，还包括二氧化硅绝缘层、下层金属电极、压电材料和上层金属电极；所述的硅衬底与二氧化硅绝缘层之间，其四周部分相互叠合，硅衬底的中间部分下凹１０－５０μｍ，二氧化硅绝缘层、下层金属电极、压电材料和上层金属电极依次相互叠合形成夹层结构，在该夹层结构上布有多个腐蚀孔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：任天令，丛鹏，刘燕翔，刘建设，刘理天，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]