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本发明公开了一种在体硅加工中用于功能结构Si和牺牲层的Si的隔离方法，包括步骤：①取SOI硅片，该SOI硅片从上到下依次为上硅层、氧化硅层和下硅层，在上硅层上根据需要制作器件部分，用于功能结构的Si利用深刻蚀技术加氧化技术，实现与牺牲层硅的...
该专利属于昆山光微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山光微电子有限公司授权不得商用。

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