发光二极管封装方法技术

一种发光二极管封装方法，包括步骤：提供一基板；设置一发光二极管晶粒在该基板上；在基板上设置一光阻层，并使该光阻层覆盖住所述发光二极管晶粒；在光阻层上发光二极管晶粒的正上方罩设光罩；采用光照射光阻层；移除光罩，去除未被光照射到的光阻层部分以暴露出发光二极管晶粒；从光阻层一侧向发光二极管晶粒喷涂荧光粉；移除剩余的光阻层部分；用封装胶覆盖所述上方形成有荧光粉层的发光二极管晶粒。该种方法能够在发光二极管晶粒上形成均匀的荧光粉层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体的制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地应用到各领域当中，如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。现有的发光二极管封装结构通常包括基板、位于基板上的电极、承载于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片以及覆盖发光二极管芯片于基板上的封装体。在发光二极管封装过程中，为改善发光二极管芯片发光特性，通常会在发光二极管的封装材料内混合荧光粉，再将混有荧光粉的封装材料形成在发光二极管芯片上，继而固化形成封装体。由于在封装材料固化的过程中，悬浮在封装材料内的荧光粉会发生沉积，从而会导致固化后的封装体内荧光粉分布不均匀，从而影响发光二极管封装结构最终的出光效果。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能使荧光粉分布均匀的。一种，包括以下步骤: 提供一基板，该基板上设置有第一电极及第二电极； 设置一发光二极管晶粒在该基板上，并将该发光二极管晶粒电连接至第一电极及第二电极； 在基板上设置一光阻层，并使该光阻层覆盖住所述发光二极管晶粒； 在光阻层上发光二极管晶粒的正上方罩设光罩； 采用光照射所述光阻层； 移除光罩，去除未被光照射到的光阻层部分以暴露出发光二极管晶粒，并保留已被光照射到的、环绕该发光二极管晶粒的光阻层部分；从光阻层一侧向发光二极管晶粒喷涂荧光粉，以在发光二极管晶粒上方形成荧光粉层； 移除已被光照射到的、环绕该发光二极管晶粒的光阻层部分； 用封装胶覆盖所述上方形成有荧光粉层的发光二极管晶粒。该种采用光阻层覆盖发光二极管晶粒周围的基板区域并同时暴露出发光二极管晶粒，然后利用喷涂方式在暴露出的发光二极管晶粒上方形成荧光粉层，最后去除光阻层。这种封装方法采用的喷涂方式能够在发光二极管晶粒上形成均匀的荧光粉层，而无需事先在封装胶内混合荧光粉，从而能够避免荧光粉在封装胶中沉淀而导致分布不均的现象。下面参照附图，结合具体实施方式对本专利技术作进一步的描述。附图说明图广图11为本专利技术第一实施方式的的各步骤示意图。图12为本专利技术第二实施方式的的喷涂步骤示意图。图13为本专利技术第二实施方式的在喷涂步骤之后形成的半成品不意图。主要元件符号说明 _权利要求1.一种，包括以下步骤: 提供一基板，该基板上设置有第一电极及第二电极； 设置一发光二极管晶粒在该基板上，并将该发光二极管晶粒电连接至第一电极及第二电极； 在基板上设置一光阻层，并使该光阻层覆盖住所述发光二极管晶粒； 在光阻层上发光二极管晶粒的正上方罩设光罩； 采用光照射所述光阻层； 移除光罩，去除未被光照射到的光阻层部分以暴露出发光二极管晶粒，并保留已被光照射到的、环绕该发光二极管晶粒的光阻层部分； 从光阻层一侧向发光二极管晶粒喷涂荧光粉，以在发光二极管晶粒上形成荧光粉层； 移除已被光照射到的、环绕该发光二极管晶粒的光阻层部分； 用封装胶覆盖所述上方形成有荧光粉层的发光二极管晶粒。2.如权利要求1所述的，其特征在于，所述光阻层采用负向光阻制成。3.如权利要求1所述的，其特征在于，所述光罩具有用于遮挡发光二极管晶粒正上方的光阻层部分的遮挡部，该遮挡部的面积大于发光二极管晶粒面积。4.如权利要求3所述的，其特征在于，所述从光阻层一侧向发光二极管晶粒喷涂荧光粉的步骤是用于在发光二极管晶粒的上表面以及在发光二极管晶粒的周缘侧面均形成荧光粉层。5.如权利要求1所述的，其特征在于，所述光罩具有用于遮挡发光二极管晶粒正上方的光阻层部分的遮挡部，该遮挡部的面积小于发光二极管晶粒面积。6.如权利要求5所述的,其特征在于,所述从光阻层一侧向发光二极管晶粒喷涂荧光粉的步骤是用于仅在发光二极管晶粒的上表面形成荧光粉层。7.如权利要求1所述的，其特征在于，所述采用光照射所述光阻层的步骤是采用紫外线照射所述光阻层。8.如权利要求1所述的，其特征在于，所述去除未被光照射到的光阻层部分的步骤是采用光阻显影液蚀刻未被光照射到的光阻层部分。9.如权利要求8所述的，其特征在于，所述去除未被光照射到的光阻层部分的步骤是采用光阻显影液蚀刻掉未被光照射到的光阻层部分以后，光阻层上形成倒置漏斗状凹槽以暴露出位于其内的发光二极管晶粒。10.如权利要求1所述的，其特征在于，所述移除已被光照射到的、环绕该发光二极管晶粒的光阻层部分的步骤是采用蚀刻方法达成。全文摘要一种，包括步骤提供一基板；设置一发光二极管晶粒在该基板上；在基板上设置一光阻层，并使该光阻层覆盖住所述发光二极管晶粒；在光阻层上发光二极管晶粒的正上方罩设光罩；采用光照射光阻层；移除光罩，去除未被光照射到的光阻层部分以暴露出发光二极管晶粒；从光阻层一侧向发光二极管晶粒喷涂荧光粉；移除剩余的光阻层部分；用封装胶覆盖所述上方形成有荧光粉层的发光二极管晶粒。该种方法能够在发光二极管晶粒上形成均匀的荧光粉层。文档编号H01L33/00GK103187484SQ20111044370公开日2013年7月3日 申请日期2011年12月27日 优先权日2011年12月27日专利技术者陈滨全, 林新强 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装方法，包括以下步骤：提供一基板，该基板上设置有第一电极及第二电极；设置一发光二极管晶粒在该基板上，并将该发光二极管晶粒电连接至第一电极及第二电极；在基板上设置一光阻层，并使该光阻层覆盖住所述发光二极管晶粒；在光阻层上发光二极管晶粒的正上方罩设光罩；采用光照射所述光阻层；移除光罩，去除未被光照射到的光阻层部分以暴露出发光二极管晶粒，并保留已被光照射到的、环绕该发光二极管晶粒的光阻层部分；从光阻层一侧向发光二极管晶粒喷涂荧光粉，以在发光二极管晶粒上形成荧光粉层；移除已被光照射到的、环绕该发光二极管晶粒的光阻层部分；用封装胶覆盖所述上方形成有荧光粉层的发光二极管晶粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈滨全，林新强，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：