曲面压电晶片研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种由下磨盘１，晶片托架２，晶片研磨控制仪８组成的曲面压电晶片研磨装置，下磨盘１和晶片托架２为导电金属制作而成，下磨盘１连接晶片研磨控制仪８的探头的下电极端，晶片托架２连接晶片研磨控制仪８的探头的上电极端，晶片研磨控制仪８的探头的接地极接地。由于在晶片研磨装置中引入了晶片研磨控制仪，有效地控制了晶片研磨的质量，尤其是为压电晶片的研磨提供了一种能有效提高研磨质量，提高了合格产品的产量及有效降低操作工劳动强度的压电晶片的研磨装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对曲面压电晶片进行研磨的曲面压电晶片研磨装置，尤其 是涉及一种对曲面压电晶片的研磨进度进行自动控制的曲面压电晶片研磨装置。
技术介绍
曲面压电晶片在电子设备中的使用范围越来越广，曲面压电晶片制作工序 是将石英晶片进行切割至要求的角度，并根据所需晶片的外形要求加工至指定 的直径，然后根据所需晶片的频率要求进行研磨至指定的厚度(厚度和频率成 反比)，再进行电极涂层。在冃前的平面晶片厚度双面研磨工艺中，有一种石英晶片研磨控制仪(ALC)，可以用来实时控制被研磨晶片的实际厚度或频率。在使用中，这种石 英晶片研磨控制仪(ALC)的探头的上电极端连接研磨机的上研磨盘、下电极 端连接下磨盘、接地极接地，研磨时先通过晶片的目标厚度计算出目标频率， 将目标频率在石英晶片研磨控制仪(ALC)中设定，在研磨过程中不断有相应 的频率传送至石英晶片研磨控制仪(ALC)，当通过上下电极端传送至石英晶片 研磨控制仪(ALC)的频率达到目标频率时，石英晶片研磨控制仪(ALC)就 自动控制研磨机停止研磨，此时被加工工件晶片的厚度即为目标厚度。在现有的曲面压电晶片厚度研磨工艺中，是将已加工至指定角度和直径的 石英晶片粘贴在晶片托架匕晶片托架通过自重将粘贴在其上的晶片向下磨盘 推压，随着下磨盘的轴向转动，晶片托架带着晶片在下磨盘的工作面上作不规 则的随机转动，从而达到研磨晶片的目的(见图1、图2)，在研磨到大致的厚 度时，停止机械研磨，将研磨后的晶片取下，测量其厚度，然后进入手工研磨阶段，将晶片手工研磨至所要求的厚度。由于现有的研磨过程分为机械研磨和 手工研磨两个阶段，尽管其机械研磨阶段研磨的晶片量较大，但是由于其每一 片晶片均需经过手工研磨阶段，不仅导致研磨的质量不稳定，同时也导致晶片 的整体产量不高，效率低下，操作工的劳动强度高。
技术实现思路
本专利技术主要是解决现有技术所存在的曲面压电晶片研磨质量不稳定的技术 问题，提供一种研磨质量稳定的曲面压电晶片研磨装置。本专利技术同时还解决现有技术所存在的曲面压电晶片整体产量不高，效率低 下，操作工的劳动强度高等的技术问题，提供一种曲面压电晶片整体产量高、 效率高且大大降低操作工的劳动强度的曲面压电晶片研磨装置。本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的本专利技术包括下磨盘l，晶片托架2，晶片研磨控制仪8，下磨盘1和晶片托架2为导电金属 制作而成，下磨盘1连接晶片研磨控制仪8的探头的下电极端，晶片托架2连 接晶片研磨控制仪8的探头的上电极端，晶片研磨控制仪8的探头的接地极接 地。作为优选，本专利技术还包括上电极5和在上电极5外壁上的绝缘防护层6， 晶片托架2的中心有一个通透的直径略大于晶片3的直径的轴向中心孔4，上 电极5和绝缘防护层6插入轴向中心空4中，晶片研磨控制仪8的探头的上电 极端与上电极5连接。作为优选，上电极5使用铜制作而成，下磨盘l使用铸铁制成，晶片托架 2使用铁制成。作为优选，轴向中心孔4的直径略大于绝缘防护层6的直径。 作为优选，绝缘防护层6是绝缘护套。作为优选，还包括在绝缘防护层6外壁上的金属防护层7，轴向中心孔4 的直径略大于金属防护层7的直径。作为优选，金属防护层7为金属护套。 作为优选，金属防护层7所使用的材料是铁。因此，本专利技术具有结构合理，思路独特等特点，通过在晶片研磨装置中加 入晶片研磨控制仪，有效地控制了晶片研磨的质量，尤其是为曲面压电晶片的 研磨提供了一种不仅能有效提高质量的稳定性，提高合格产品的产量，也能够 有效降低操作工劳动强度的曲面压电晶片的研磨装置。附图说明附图1是现有技术的一种结构示意图；附图2是附图1的A向视图；附图3是本专利技术的一种结构示意图；附图4是附图3的B向视图；附图5是本专利技术的另一种结构示意图；附图6是附图5的C向视图；附图7是本专利技术的第三种结构示意图；附图8是附图7的D向视图；具体实施方式下面通过实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步具体的说明。实施例1:参见图3、图4，本专利技术包括下磨盘l，晶片托架2，晶片研磨 控制仪8，下磨盘l使用铸铁制成，晶片托架2使用铁制作而成，下磨盘l连 接晶片研磨控制仪(ALC) 8的探头的下电极端，晶片托架2连接晶片研磨控制 仪(ALC) 8的探头的上电极端，晶片研磨控制仪(ALC) 8的探头的接地极接地。在本专利技术中，引入了晶片研磨控制仪(ALC) 8，晶片研磨控制仪(ALC) 8 的探头的上电极与晶片托架2连接，晶片研磨控制仪(ALC) 8的探头的下电极 与下磨盘1相连接，晶片研磨控制仪(ALC) 8的探头的接地极接地。在工作时， 先根据加工工件的目标厚度计算出目标频率，将晶片研磨控制仪(ALC) 8的频率设定在目标频率，再将一件被加工工件即已加工至指定角度和直径的晶片3 放在在晶片托架2的工作面上，下磨盘l沿轴心转动，使得晶片3随着晶片托 架2在下磨盘1的工作面范围内不仅有公转，而且有自转，从而达到研磨的目的，当被加工晶片3达到目标厚度时，此时通过晶片研磨控制仪(ALC) 8探头 的上下电极测得的频率即为目标频率，在达到目标频率后，晶片研磨控制仪 (ALC) 8就自动控制下磨盘1停止转动，从而停止研磨。这样就得到了完全机 器控制的、不需再手工加工的、达到目标厚度的合格的曲面压电晶片。实施例2:参见图5、图6，本专利技术包括下磨盘l，晶片托架2，晶片研磨 控制仪(ALC) 8，上电极5和在上电极5外壁上的塑料涂层6，晶片托架2的中 心有一个贯穿上下的直径略大于塑料涂层6的轴向中心空4，上电极5和其外 壁上的塑料涂层6插入轴向中心孔4中，轴向中心孔4的直径略大于塑料涂层 6和晶片3的直径，下磨盘l使用铁制成，晶片托架2是用铁为原料制成，上 电极5用铜为原料制成，下磨盘1连接晶片研磨控制仪(ALC) 8的探头的下电 极端，上电极5连接晶片研磨控制仪(ALC) 8的探头的下电极端，晶片研磨控 制仪(ALC) 8的探头的接地极接地。被已加工至指定角度和直径的晶片3位于 上电极5的下端并套在轴向中心孔4内，通过上电极5的自重将晶片3向下磨 盘1的工作面推压，塑料涂层6的设置是为了使上电极5和晶片托架2之间保 持绝缘。本专利技术在工作中，首先根据需要加工的晶片的目标厚度计算出目标频率， 将目标频率在晶片研磨控制仪(ALC) 8中先行设定；然后进行研磨，研磨时随 着下磨盘1的轴向转动，带动晶片托架2和上电极5不仅在下磨盘1的工作面 中有随着下磨盘1的工作面的公转，而且有沿着晶片托架2的中心的自转，由 于上电极5通过自重将已加工至指定角度和直径的晶片3向下磨盘1的工作面 推压，从而使晶片3在下磨盘1的工作面上也不仅有公转，而且有自转，进而 实现对晶片3的研磨；在研磨至目标厚度时，晶片研磨控制仪(ALC) 8的上、下电极端测得的频率达到了目标频率，这时，晶片研磨控制仪(ALC) 8就控制 装置停止研磨。这样就得到了完全机控的、不需再手工加工的、达到目标厚度 的合格的曲面压电晶片。实施例3:参见图5、图6，本专利技术包括下磨盘l，晶片托架2，晶片研磨 控制仪(ALC) 8，上电极5和在上电极5外壁上的塑料护套6，晶片托架2的中 心有一个贯穿上下的直径略大于塑料护套6的外径和晶片3的直径的轴向中心 空4，上电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曲面压电晶片研磨装置，包括下磨盘（１），晶片托架（２），其特征在于：还包括晶片研磨控制仪（８），所述的下磨盘（１）和晶片托架（２）为导电金属制作而成，所述的下磨盘（１）连接所述的晶片研磨控制仪（８）的探头的下电极端，所述的晶片托架（２）连接所述的晶片研磨控制仪（８）的探头的上电极端，所述的晶片研磨控制仪（８）的探头的接地极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王祖勇，
申请(专利权)人：王祖勇，
类型：发明
国别省市：86[]