【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于等离子体加工设备领域，涉及一种加热装置、加热方法及半导体加工设备。
技术介绍
MOCVD (金属有机化合物化学气相沉积)技术是利用金属有机化合物进行金属输运的一种化合物半导体气相外延技术，其可以在纳米尺度上精确控制外延层的厚度和组分，而且适于批量生产，因此成为当前光电器件的主要生产手段。在利用MOCVD设备加工光电器件等被加工工件时，放置在反应腔室内不同区域的被加工工件的温度均匀性对于MOCVD设备的加工质量具有及其重要的影响。传统的加热被加工工件的方式有两种:第一，分区加热方式。采用喷淋头结构反应腔，并将设置在反应腔室内不同区域的电阻丝或电阻片进行分区，控制反应腔室内不同区域的电阻丝或电阻片的加热功率，以使被加工工件均匀受热。 第二，感应加热方式。采用行星式结构反应腔，在反应腔室的外侧设有感应线圈，在反应腔室内设有由石墨加工而成的大托盘和小托盘，而且在大托盘转动的同时，小托盘可相对于大托盘自转，基片等被加工工件放置在小托盘上，通过大托盘的公转和小托盘的自转可以使放置在小托盘上的被加工工件均匀受热。虽然上述两种加热方式能够满足设有单托盘的MOCVD...
【技术保护点】
一种加热装置，包括感应线圈和与所述感应线圈连接的功率源，其特征在于，所述感应线圈包括三个以上纵向同轴且间隔放置的子线圈，在所述感应线圈与所述功率源之间设有用于调节所述子线圈输出功率的功率调节器，以调节所述感应线圈的端部和中部的电流。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：武晔，韦刚，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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