【技术实现步骤摘要】
本技术属于微电子
，特别涉及一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置。
技术介绍
目前，利用金属有机化学气相淀积MOCVD技术淀积半导体薄膜，是微电子和光电子领域以及半导体集成电路领域的一种不可或缺的技术。反应室是MOCVD设备的核心部分，晶片的温度均匀分布是反应室设计的基本要求之一。MOCVD反应室加热方式主要有感应加热和电阻加热，与电阻加热方式相比，感应加热具有加热速度快、不需要整体加热和无沾污等优点，一直为人们所青睐。但传统用的感应加热式MOCVD反应室中，由于感生电流的集肤效应(也称趋肤效应)，使得晶片温度分布不均匀，这个问题是制约感应加热的MOCVD反应室特别是大尺寸，如八英寸、十二英寸和十六英寸等反应室进一步发展的一个瓶颈，迄今为止，对于大尺寸的反应室，关于如何降低因感生电流的集肤效应对晶片温度分布均匀性的影响，从而提高晶片温度分布的均匀性这一问题仍有待解决。目前，国内外对于这方面的研究还较少，相关的研究主要如下几种:H.Hanawa等提出了一种多区域感应加热方式，其主要方法是对不同加热区域的线圈施加不同的电功率，目的是提高晶片温度分布的均勻性，...
【技术保护点】
一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置，包括石墨基座和线圈，其特征在于：所述石墨基座为圆柱形且线圈设置在石墨基座的下方，所述石墨基座上表面设置有向下凹陷的圆环形凹槽。
【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD反应室的电磁加热装置，包括石墨基座和线圈，其特征在于:所述石墨基座为圆柱形且线圈设置在石墨基座的下方，所述石墨基座上表面设置有向下凹陷的圆环形凹槽。2.根据权利要求1所述用于MOCVD反应室的电磁加热装置，其特征在于:所述圆环形凹槽分为上下两级且均与石墨基座同心，上级圆环形凹槽的外直径大于下级圆环形凹槽的外直径，石墨基座中心设置有中心柱，所述中心柱的顶部与上级圆环形凹槽的底部在同一平面上。3.根据权利要求1所述用于MOCVD反应室的电磁加热装置，其特征在于:所述下级圆环形凹槽的内半径是石墨基座半径的0.3倍，下级圆环形凹槽的外半径是石墨基座半径的0.8...
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