【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种垂直过渡结构,尤其是一种三维多芯片组件板间过渡结构。
技术介绍
三维多芯片组件(3D-MCM)是在二维多芯片组件(2D-MCM)技术基础上发展起来的多芯片组件技术。3D-MCM中叠层3D-MCM是目前应用最广的一种。其互连技术目前有:丝焊(或TAB)垂直互连技术、薄膜金属化垂直互连技术、凸点(或者焊球)垂直互连技术、隔离板通孔金属化垂直互连技术等,但是这些技术都是在叠层的电路板上做的互连技术,需要占用叠层电路板的面积,制约着电路多芯片组件的密度和组装效率。随着基于环氧树脂的包封技术、激光成型电路等技术的发展,使得在叠层电路侧面设计电路,但是侧面电路与水平电路对准精度对工艺要求很高,而且对板间互连特性影响很大。
技术实现思路
技术问题:本技术提出了一种三维立体多芯片组件板间宽带过渡结构,可以实现宽带射频信号或高速数字信号在3D-MCM层间侧壁的垂直互连,并减小工艺对准精度要求的三维多芯片组件板间过渡结构。技术方案:本技术的三维多芯片组件板间过渡结构,包括环氧树脂制成的三维组件模块、封装在三维组件模块内的上层电路板和下层电路板、敷设在三维组件模块表面的金属层、在金属层上刻蚀出的共面波导,上层电路板平行设置于下层电路板的上方,共面波导竖向设置在三维组件模块的侧面且垂直于上层电路板和下层电路板;上层电路板下侧设置有上层微带线地、上侧设置有上层微带线导带,上层微带线地一端设置有缺口,下层电路板下侧设置有下层微带线地、上侧设置有下层微带线导带,共面波导包括位于三维组件模块侧面的共面波导中心导带和位于共面波导中心导带两侧的共面波导地,共面波导地与共面波导中心导带 ...
【技术保护点】
一种三维立体多芯片组件板间宽带过渡结构,其特征在于,该结构包括环氧树脂制成的三维组件模块(1)、封装在所述三维组件模块(1)内的上层电路板(2)和下层电路板(3)、敷设在所述三维组件模块(1)表面的金属层(4)、在所述金属层(4)上刻蚀出的共面波导(5),所述上层电路板(2)平行设置于下层电路板(3)的上方,所述共面波导(5)竖向设置在三维组件模块(1)的侧面且垂直于上层电路板(2)和下层电路板(3);所述上层电路板(2)下侧设置有上层微带线地(21)、上侧设置有上层微带线导带(22),所述上层微带线地(21)一端设置有缺口(23),所述下层电路板(3)下侧设置有下层微带线地(31)、上侧设置有下层微带线导带(32),所述共面波导(5)包括位于三维组件模块(1)侧面的共面波导中心导带(51)和位于所述共面波导中心导带(51)两侧的共面波导地(52),所述共面波导地(52)与共面波导中心导带(51)之间由两条槽线隔开,共面波导中心导带(51)的下端与下层微带线导带(32)短接,上端与上层微带线导带(22)连接,并隔着缺口(23)与上层微带线地(21)的一端相对。
【技术特征摘要】
1.一种三维立体多芯片组件板间宽带过渡结构,其特征在于,该结构包括环氧树脂制成的三维组件模块(I)、封装在所述三维组件模块(I)内的上层电路板(2)和下层电路板(3)、敷设在所述三维组件模块(I)表面的金属层(4)、在所述金属层(4)上刻蚀出的共面波导(5),所述上层电路板(2)平行设置于下层电路板(3)的上方,所述共面波导(5)竖向设置在三维组件模块(I)的侧面且垂直于上层电路板(2)和下层电路板(3); 所述上层电路板(2)下侧设置有上层微带线地(21)、上侧设置有上层微带线导带(22),所述上层微带线地(21) —端设置有缺口(23),所述下层电路板(3)下侧设置有下层微带线地(31)、上侧设置有下层微带线导带(32),所述共面波导(5)包括位于三维组件模块(I)侧面的共面波导中心导带(51)和位于所述共...
【专利技术属性】
技术研发人员:王磊,严伟,吴金财,
申请(专利权)人:东南大学,中国电子科技集团公司第十四研究所,
类型:实用新型
国别省市:
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