抛光垫制造技术

本发明专利技术涉及抛光垫，其特征在于，微橡胶Ａ硬度为８０度以上，具有平均气泡直径为１０００μｍ以下的气泡，而且密度为０．４－１．１的范围，含有聚氨酯和乙烯基化合物聚合得到的聚合物。本发明专利技术涉及的抛光垫，在使半导体基板的局部性的凹凸平整时，抛光速度快，全台阶状变形小，难于产生金属布线上的洼变，难于产生堵塞及表面部分的应变，抛光速度稳定。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抛光用垫及使用所述抛光用垫抛光半导体基板的方法。更详细地说，涉及用于机械性平整半导体基板上形成的绝缘层的表面及金属布线的表面的抛光垫。CMP装置一般地由保持被处理物半导体晶片的抛光头、用于对被处理物进行抛光处理的抛光垫、保持所述抛光垫的抛光平台构成。半导体晶片的抛光处理按如下进行，即使用由抛光剂和药液组成的浆液，使半导体晶片和抛光垫进行相对运动，由此除去半导体晶片的表面的层突出的部分，从而使晶片表面层光滑。半导体晶片的抛光速度例如对半导体晶片的主面上成膜的二氧化硅(SiO2)膜，与半导体晶片和抛光垫的相对速度及负载大致成正比。因此，为了将半导体晶片的各部分均匀地进行抛光加工，需要使半导体晶片均匀地负载。在抛光加工半导体晶片的主面上形成的绝缘层等的情况下，抛光垫柔软，局部的平整则变差。因此，现在使用肖氏A硬度90度以上的发泡聚氨酯薄片。但是，高硬度发泡聚氨酯台在绝缘层等的凹凸密度不同部分，存在平整的程度不同产生全台阶状变形的问题，并且，存在波形花纹产生的金属布线的幅度宽的部分产生洼变(金属布线的中央部分比边缘部的高度低)的问题。另外，要么由于容易吸附抛光剂很快产生堵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光垫，微橡胶Ａ硬度为８０度以上，含有聚氨酯和乙烯基化合物聚合得到的聚合物，具有独立气泡。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：城邦恭，桥阪和彦，冈哲雄，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]