研磨片及其制造方法技术

提供一种研磨片及制造方法，该研磨片不随使用时间的推移而变形，可用高的研磨速率使研磨对象物表面均匀平坦。研磨片１０由织物片１２和树脂１４构成，其中织物片由１根纤维１３、或由多根纤维１３束集起来形成的纤维束１３、或把多束由多根纤维束集而成的纤维束进一步束集起来形成的纤维束１３构成，树脂用于将该织物片的纤维或纤维束１３之间固定住。本发明专利技术的研磨片１０固定在衬底片１５的表面上。缎纹数最好在３～１５范围。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对半导体晶片、液晶玻璃基板、硬磁盘基板、磁头基板等要求表面高度平坦性的研磨对象物进行研磨用的，尤其是涉及适合于化学性机械性研磨的。
技术介绍
半导体晶片、液晶玻璃基板、硬磁盘基板、磁头等要求表面高度平坦性的研磨对象物的研磨，使用化学性机械性研磨(CPM)法。CMP法是用含有与研磨对象物表面起化学反应的成分的研磨液进行研磨的，对研磨对象物表面进行化学蚀刻、或在研磨对象物表面产生络合物或氧化物，并且用含浸在研磨液中的游离磨粒进行机械性磨削的研磨方法，采用CPM法，可进行非常细微的研磨，具有可使表面高度平坦化的优点。例如，在半导体装置的领域，由于装置的大容量化，多层配线技术很重要。该多层配线技术要求基底具有高度的平坦性。这是因为，基底凹凸不平会产生台阶，会产生使形成于该台阶上的配线断线的不良情况，得不到规定的配线设计性能的缘故。因此，为了使形成有配线图形和绝缘膜的晶片平坦，采用上述CMP法。利用这种CMP法使半导体晶片平坦，是将含有与形成于晶片表面上的膜(例如，氧化硅膜)起化学反应的成分(例如，氢氧化钙水溶液)的碱性研磨液供给贴在旋转平板上的研磨衬垫上，同时将晶片按压在该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨片，是由织物片和树脂构成的，其中织物片是由１根纤维、或由多根纤维束集起来形成的纤维束、或把多束由多根纤维束集起来而成的纤维束进一步束集形成的纤维束构成的；树脂用于将该织物片的上述纤维或纤维束之间固定住。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：多久智，泉敏裕，小林俊裕，
申请(专利权)人：日本微涂料株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]