抛光垫及抛光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及抛光装置，其特征在于，微橡胶Ａ硬度为８０度以上的抛光层和体积弹性模量为４０Ｍｐａ以上而且拉伸弹性模量为０．１Ｍｐａ以上２０Ｍｐａ以下的缓冲层的抛光垫、以及将半导体基板固定于抛光头，在抛光平台上固定该抛光垫，使抛光层与半导体基板相对，使所述抛光头或抛光平台或其双方旋转，抛光所述半导体基板。根据本发明专利技术，在通过抛光使形成于半导体基板上的绝缘层或金属布线的表面平滑的机械性的平坦化工序中使用的抛光装置或抛光垫中，可以实现使半导体基板整面均匀平坦化甚至在接近晶片边缘处均匀地抛光，而且可以提供在压磨板高旋转速度的条件下、同时实现均匀性和平坦性的技术。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
技术区域本专利技术涉及半导体基板的抛光装置及抛光垫，特别涉及机械性地使形成于硅等半导体基板上的绝缘层表面及金属布线的表面平坦化的抛光装置和抛光垫。
技术介绍
伴随着以半导体存储器所代表的大规模集成电路(LSI)年复一年集成化的发展，随之大规模集成电路的制造技术也正在向高密度化发展。而且，伴随着这种高密度化，半导体装置的层积数也正在增加。随着该层积数的增加，以前不是问题的层积产生的半导体基板主面的凹凸成为了问题。例如《日经微装置》(日经マイクロデバイス)1994年7月号50-57页所记述，讨论了为了弥补由层合产生的凹凸引起的曝光时的焦点深度不足，或者为了通过通孔部的平整提高布线密度，而利用化学性机械抛光(CMPChemical Mechanical Polishing)技术的半导体基板的平坦化。一般地，CMP装置由保持被处理物半导体基板的抛光头、用于进行被处理物的抛光处理的抛光垫、保持所述抛光垫的抛光平台构成。半导体基板的抛光处理按如下进行，即使用由抛光剂和药液组成的浆液，通过使半导体基板和抛光垫进行相对运动，而使半导体基板表面层光滑。该半导体基板抛光加工时的抛光速度，例如在半导体基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光垫，其特征在于，具有微橡胶Ａ硬度为８０度以上的抛光层和体积弹性模量为４０Ｍｐａ以上而且拉伸弹性模量为０．１Ｍｐａ以上２０Ｍｐａ以下的缓冲层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：城邦恭，南口尚士，冈哲雄，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]