【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体集成电路的测试技术，特别属于一种用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座。
技术介绍
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(简称VDM0S)的结构如图1所示，其漏端不是在芯片的顶面，而是从芯片的底部引出，所以在进行可靠性测试封装的时候引脚必须从芯片的背面引出。为了对VDMOS器件进行可靠性测试(如高温反向偏压测试HTRB)，同时还要避免封装对于产品可靠性的影响，芯片代工厂一般都会将VDMOS器件芯片直接封装在双列直插陶瓷底座上进行测试，常用的陶瓷底座包括双列直插24针(DIP24)。然而，目前市场上的双列直插陶瓷底座不支持芯片背面引出端，其仅适用于引出端位于芯片正面的结构，如图2所示为双列直插陶瓷底座的剖面图，其中，金属底板2位于金属片3围成的区域中，金属底板2的每个侧面与该侧面外侧的金属片3远离金属引脚I的一端在垂直方向上对齐，普通芯片5位于陶瓷底座的金属底板2上，该金属底板2与金属引脚I不连接(如图2中的虚线椭圆)，普通芯片5的引出端连接陶瓷底座的金属片3，该金属片3通过金属片的金属连线4与金属引脚I连接。由于VDMOS器件的引出端在底部，因此无法在上述陶瓷底座上封装并进行HTRB可靠性测试。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座，可以使VDMOS器件封装在陶瓷底座上并进行可靠性测试。为解决上述技术问题，本技术的用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座，包括金属引脚、金属底板、金属片，所述金属片通过金属片的金属连线与金属引脚连接，所述金属底板的每个侧面与位于该侧面外的金属...
【技术保护点】
一种用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座，包括金属引脚（1）、金属底板（2）、金属片（3），所述金属片（3）通过金属片的金属连线（4）与金属引脚（1）连接，其特征在于，所述金属底板（2）的每个侧面与位于该侧面外的金属片（3）远离金属引脚（1）的一端在横向上留有间隙，所述金属底板（2）的每个侧面均通过若干金属底板的金属连线（6）与金属引脚（1）连接。
【技术特征摘要】
1.一种用于VDMOS器件可靠性测试的双列直插陶瓷底座，包括金属引脚(I)、金属底板(2)、金属片(3)，所述金属片(3)通过金属片的金属连线(4)与金属引脚(I)连接，其特征在于，所述金属底板(2)的每个侧面与位于该侧面外的金属片(3)远离金属引脚(I)的一端在横向上留有间隙，所述金属底板(2)的每个侧面均通过若干金属底板的金属连线(6)与金属引脚...
【专利技术属性】
技术研发人员：范曾轶，廖炳隆，储征毓，罗晶，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。