一种去除元件坯体毛边的方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种去除元件坯体毛边的方法及应用，先将干压成型好的元件坯体进行预烧处理，预烧温度为７００℃～１１００℃；再将磨介、水及预烧好的元件坯片放入行星磨罐中进行磨片处理；最后清洗烘干。使用该方法去除毛边所得的产品，产品外观光滑平整，无毛边、产品无崩烂不良现象。该方法用于去除敏感元件坯体的毛边，磨后敏感元件坯体外观合格率达９９％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及元件坯体加工
，尤其涉及一种去除敏感元件坯体 毛边的方法。
技术介绍
现有去除元件坯体的方法为将已烧结好的陶瓷体放入球磨罐中加水 湿磨，利用陶瓷体间的磨擦将毛边或披锋去掉，由于磨的过程中是利用陶 瓷体间的刚性碰撞来达到去除毛边的目的，而陶瓷体具有脆性，造成陶瓷 体崩边或断裂等诸多问题。或者用机械加工的方法将已烧结好的陶瓷体表 面磨平，该方法目前适用于体积较大的陶瓷体的生产上，该方法也会存在 陶瓷体崩边不良现象。再或者将刚成型好的坯体放入振动筛中振磨，利用 坯体间的磨擦将毛边去除，但该方法也有一定的局限性， 一般用于尺寸较 大，且坯体硬度较高的实心器件上，对于坯体强度较低的小型或空心器件， 该方法也会给陶瓷体边缘造成崩边不现象，甚至出现烂片问题，而且该方 法对毛边高度小于0.05lMl的细小毛边，去除效果不好。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是去除元件坯体的毛边，使陶瓷坯体表面 平整光滑，无崩边、烂片等外观不良现象，提高生产的良品率。本专利技术要解决的技术问题是通过以下技术方案实现的 一种去除元件 坯体毛边的方法，先将干压成型好的元件坯体进行预烧处理，预烧温度为70(TC 110(TC，使预烧后的陶瓷坯体具有一定的强度，但仍未达到成瓷状 态。再将磨介、水及预烧好的陶瓷坯体放入行星磨罐中进行磨片处理，当 行星磨罐按一定转速运转时，坯片表面在与磨介摩擦的过程中， 一些高出平 面的毛边部分便会被磨掉；最后清洗烘干。进一步要彻底磨掉毛边且又保护元件坯体不被损坏，控制磨介、水、 坯片的加入配比量，并按毛边的大小加以转速、时间等参数来控制。所述 的磨介、水、坯片的质量配比是40土10: 18±5: 3±1。所述行星磨罐转速为35±5转/分钟，时间为5 15分钟。所述的预烧时间为2 5小时，所 述的磨介是由陶瓷粉粒经高温预烧、球磨、烘干、过筛而成。所述的磨介 高温预烧温度为1000°C 1300°C。所述的过筛筛网目数为100 120目。所 述的陶瓷粉粒是元件坯体成型前的干粉。使用上述方法去除元件坯体毛边所得的产品，产品外观光滑平整，无 毛边、无崩烂的不良现象，该方法用于去除小型敏感元件坯体的毛边，磨 后敏感元件坯体外观合格率达99%以上。满足电极印刷及客户对陶瓷体外 观的要求。附图说明图1是有毛边的环状压敏元件坯体示意图，图2是有毛边的柱状压敏元 件坯体示意图，其中l环状压敏元件坯体、.2毛边、3柱状压敏元件坯体。具体实施例方式本专利技术的主旨是通过控制磨介、水、坯体的加入配比量，并按毛边的 大小加以转速、时间等参数来控制，达到去除陶瓷坯体毛边的目的，且产 品外观光滑平整，无毛边、产品无崩烂不良现象。下面对本专利技术的内容作 进一步详述，实施例中所提及的内容并非对本专利技术的限定，温度、时间等 各参数的选择可因地制宜而对结果并无实质性影响。实施例l一种去除压敏薄片毛边的方法，先将干压成型好的①2.8mm xO)1.5mm x0. 4mm环状压敏元件坯体1进行预烧处理，预烧温度为IIO(TC;再将磨介、 水及预烧好的元件坯体放入行星磨罐中进行磨片处理，最后清洗烘干。磨 介、水、坯体的质量配比是40: 18: 3。行星磨罐转速为35转/分钟，时间 为5分钟。预烧时间为3小时，磨介是由陶瓷粉粒经高温预烧、球磨、烘 干、过筛而成。所述的磨介高温预烧温度为1250°C。所述的过筛筛网目数为120目。所述的陶瓷粉粒是元件坯体成型前的干粉。使用上述方法去除坯体毛边2所得的产品，产品外观光滑平整，无毛 边、产品无崩烂不良现象，该方法用于去除环状压敏元件坯体的毛边，磨 后敏感器件坯体外观合格率达99%以上。实施例2一种去除环状压敏厚片毛边的方法，先将干压成型好的①4.2ram x① 2. 8mm x0. 7ram环状压敏元件坯体1进行预烧处理，预烧温度为IOO(TC;再 将磨介、水及预烧好的元件坯体放入行星磨罐中进行磨片处理，最后清洗 烘干。所述的磨介、水、坯体的质量配比是42: 16: 3。所述行星磨罐转速 为35转/分钟，时间为8分钟。预烧时间为3. 5小时，所述的磨介是由陶 瓷粉粒经高温预烧、球磨、烘干、过筛而成。所述的磨介高温预烧温度为 125(TC。所述的过筛筛网目数为120目。所述的陶瓷粉粒是元件坯体成型 前的干粉。使用上述方法去除坯体毛边所得的产品，产品外观光滑平整，无毛边、 产品无崩烂不良现象，该方法用于去除小型环状压敏元件坯体的毛边，磨 后敏感器件坯体外观合格率达99%以上。实施例3一种去除柱状热敏元件坯体毛边的方法，先将干压成型好的03.7mm x 2. 6mm圆柱状热敏元件坯体3进行预烧处理，预烧温度为900°C;再将磨介、 水及预烧好的元件坯体放入行星磨罐中进行磨片处理，最后清洗烘干。所 述的磨介、水、坯体的质量配比是45: 18: 3。行星磨罐转速为30转/分钟， 时间为12分钟。预烧时间为5小时，所述的磨介是由陶瓷粉粒经高温预烧、 球磨、烘干、过筛两成。所述的磨介高温预烧温度为118CTC。所述的过筛 筛网目数为100目。所述的陶瓷粉粒是元件坯体成型前的干粉。使用上述方法去除坯体毛边2所得的产品，产品外观光滑平整，无毛 边、产品无崩烂不良现象，该方法用于去除小型柱状热敏元件坯体的毛边， 磨后敏感器件坯体外观合格率达99%以上。权利要求1、一种去除小型元件坯体毛边的方法，其特征在于先将干压成型好的元件坯体进行预烧处理，预烧温度为700℃～1100℃；再将磨介、水及预烧好的陶瓷坯片放入行星磨罐中进行磨片处理；最后清洗烘干。2、 根据权利要求1所述的去除元件坯体毛边的方法，其特征在于所 述的磨介、水、坯体的质量配比是40土10: 18±5: 3±1。3、 根据权利要求2所述的去除元件坯体毛边的方法，其特征在于所述的预烧时间为2 5小时。4、 根据权利要求3所述的去除元件坯体毛边的方法，其特征在于所 述行星磨罐转速为35±5转/分钟，时间为5 15分钟。5、 根据权利要求4所述的去除元件坯体毛边的方法，其特征在于所述的磨介是由陶瓷粉粒经高温预烧、球磨、烘干、过筛而成。6、 根据权利要求5所述的去除元件坯体毛边的方法，其特征在于所 述的磨介高温预烧温度为1000°C 1300°C。7、 根据权利要求6所述的去除元件坯体毛边的方法，其特征在于所 述的过筛筛网目数为100 120目。8、 权利要求7所述的去除元件坯体毛边的方法，其特征在于所述的 陶瓷粉粒是元件坯体成型前的干粉。9、 一种权利要求1 8中择一所述的去除元件坯体毛边的方法用于去 除敏感器件坯体毛边的应用。全文摘要本专利技术公开了一种去除元件坯体毛边的方法及应用，先将干压成型好的元件坯体进行预烧处理，预烧温度为700℃～1100℃；再将磨介、水及预烧好的元件坯片放入行星磨罐中进行磨片处理；最后清洗烘干。使用该方法去除毛边所得的产品，产品外观光滑平整，无毛边、产品无崩烂不良现象。该方法用于去除敏感元件坯体的毛边，磨后敏感元件坯体外观合格率达99％以上。文档编号B24B31/02GK101314214SQ20081002917公开日2008年12月3日 申请日期2008年6月28日 优先权日2008年6月28日专利技术者梁戈仁 申请人:广东风华高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除小型元件坯体毛边的方法，其特征在于：先将干压成型好的元件坯体进行预烧处理，预烧温度为７００℃～１１００℃；再将磨介、水及预烧好的陶瓷坯片放入行星磨罐中进行磨片处理；最后清洗烘干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁戈仁，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]