薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤。提供源极及漏极。形成图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，并暴露出一部分源极及一部分漏极。形成氧化物半导体层接触源极的该部分及漏极的该部分。提供栅极。提供位于氧化物半导体层与栅极间的一栅介电层。在此亦提供一种薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种氧化物半导体的。
技术介绍
液晶显示器主要由薄膜晶体管基板、彩色滤光片基板及位于两基板间的液晶分子层所构成。薄膜晶体管基板上配置多个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管主要由栅极、栅介电层、半导体层、源极及漏极所组成。半导体层的材料例如可包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体、氧化物半导体或其它合适的材料。然而，相较于非晶硅薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管具有较高的载子迁移率(Mobility)，而拥有较佳的电性表现。而氧化物半导体通常需再进行退火制程，才能够使薄膜晶体管的电性表现稳定。一般而言，退火制程的温度需高于350°C以上。但于进行退火制程中，若有金属暴露在高温炉中，将导致金属氧化，使得阻抗升高，而严重影响信号传输。有鉴于此，亟需一种改良的薄膜晶体管的制造方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法，其能够于进行退火制程时，避免源极及漏极氧化而导致阻抗升高的问题。本专利技术的一态样为提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤。提供源极及漏极。形成图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，并暴露出一部分源极及一部分漏极。形成氧化物半导体层接触源极的该部分及漏极的该部分。提供栅极。提供位于氧化物半导体层与栅极间的一栅介电层。根据本专利技术一实施方式，更包含于形成氧化物半导体层步骤后，进行一退火步骤。根据本专利技术一实施方式，提供栅介电层步骤是于提供源极及漏极步骤前进行。根据本专利技术一实施方式，提供栅介电层步骤是于提供源极及漏极步骤后进行。 根据本专利技术一实施方式，形成图形绝缘层步骤包含:形成一绝缘层全面覆盖源极及漏极；于绝缘层中形成至少一开口暴露出源极的该部分及漏极的该部分。根据本专利技术一实施方式，形成图形绝缘层步骤包含:形成一绝缘层全面覆盖源极及漏极；于绝缘层中形成一第一开口及一第二开口分别露出源极的该部分及该漏极的该部分。本专利技术的另一态样为提供一种薄膜晶体管，其包含源极及漏极、图形绝缘层、氧化物半导体层、栅极与栅介电层。图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，其中图形绝缘层具有至少一开口露出一部分源极及一部分漏极。氧化物半导体层接触源极的该部分及漏极的该部分。栅介电层位于氧化物半导体层与栅极之间。根据本专利技术一实施方式，开口大致对准栅极。 根据本专利技术一实施方式，图形绝缘层只具有一开口，该开口的长度大于源极及漏极的一间距。 根据本专利技术一实施方式，栅介电层位于源极及漏极之下。根据本专利技术一实施方式，开口包含一第一开口及一第二开口分别露出源极的该部分及漏极的该部分。根据本专利技术一实施方式，栅介电层位于源极及漏极之上。本专利技术的实施方式是先形成一图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，再依序形成氧化物半导体层接触暴露出的部分源极及部分漏极，以及进行退火制程。如此一来，在进行退火制程时，源极及漏极被图形绝缘层及氧化物半导体层所覆盖而完全未露出，故可避免源极及漏极发生氧化。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式说明如下: 图1是显示本专利技术一实施方式的薄膜晶体管基板的制造方法的流程图。图2A是显示依照本专利技术一实施方式的薄膜晶体管基板的上视示意图。图2B是显示沿图2A的2B-2B’线段的薄膜晶体管的剖面示意图。图3是显示依照本专利技术另一实施方式的薄膜晶体管的剖面示意图。图4是显示依照本专利技术又一实施方式的薄膜晶体管的剖面示意图。主要组件符号说明10、20、30、40、50、60、70、80、90 步骤110基材 120栅极 130栅介电层 140a源极 140b漏极 150图形绝缘层 150’ 开口 150’a 第一开口 150’b 第二开口 160氧化物半导体 170保护层 170’接触孔 180透明电极 d开口长度 dl第一开口的长度 d2第二开口的长度 DL数据线 L源极及漏极的间距 SL扫描线具体实施例方式以下将以图式公开本专利技术的复数个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些公知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式绘示的。图1是显示本专利技术一实施方式的薄膜晶体管基板的制造方法的流程图。图2A是显示依照本专利技术一实施方式的薄膜晶体管基板的上视示意图。其中，薄膜晶体管基板的电路布局(layout)可作适当的变动，并不限于图2A例示者。图2B是显示沿图2A的2B-2B’线段的薄膜晶体管的剖面示意图。一般而言，薄膜晶体管的类型例如为顶栅型或底栅型。在底栅型薄膜晶体管的类型中，栅极是位于半导体层的下方；在顶栅型薄膜晶体管的类型中，栅极是位于半导体层的上方。图2A-图2B例示者为底栅型的薄膜晶体管，但不以此为限。在步骤10中，提供一基材110，如图2B所示。基材110需具有足够的机械强度，其可例如为玻璃、石英、透明高分子材料或其它合适的材质。在步骤20中，形成一栅极120于基材110，如图2A-图2B所示。如图2A所示，于形成栅极120时，可同时形成多条相互平行的扫描线SL于基材110上。当然，也可同时形成共通电极线(未绘示)于基材110上。共同电极线可平行于扫描线SL的延伸方向。例如可利用派镀(sputtering)、蒸镀(evaporation)制程或其它薄膜沉积技术先形成一层金属层(未绘示)于基材110上，再利用微影蚀刻制程形成栅极120与扫描线SL。在步骤30中，形成栅介电层130覆盖栅极120，如图2B所示。当然，栅介电层130也可覆盖多条扫描线SL。栅介电层130可为单层或多层结构，其材料可包含有机介电材、无机介电材或上述的组合。有机介电材料例如为聚亚酰胺(Polyimide, PI)、其它适合的材料或上述的组合；无机介电材料例如为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它适合的材料或上述的组合。可利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD)或其它合适的薄膜沉积技术形成栅介电层130。在步骤40中，形成源极140a及漏极140b于栅介电层130上，如第2A-2B图所示。如图2A所示，于形成源极140a及漏极140b时，可同时形成多条相互平行的数据线DL。数据线DL与扫描线SL相互垂直交错，以定义基材110的多个次像素区。例如可利用溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporation)制程或其它薄膜沉积技术先形成一层金属层(未绘示)于栅介电层130上，再利用微影蚀刻制程形成源极140a、漏极140b与数据线DL。栅极120、源极140a及漏极140b可为单层或多层结构，其材料可为金属或金属化合物。金属材料包含钥(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、钕(Nd)、钛(Ti)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn) (In)、镓(Ga)、其它合适的材料或上述的组合。金属化合物材料包含金属合金、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、其它合适的材料或上述的组合。在步骤50中，形成图形绝缘层150局部覆盖源极140a及漏极140b，并暴露出一部分的源极140a及一部分的漏极140b，如图2B所示。当然，图形绝缘层150可全面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法，包含下列步骤：提供一源极及一漏极；形成一图形绝缘层局部覆盖该源极及该漏极，并暴露出部分该源极及部分该漏极；形成一氧化物半导体层接触该源极的该部分及该漏极的该部分；提供一栅极；以及提供位于该氧化物半导体层与该栅极间的一栅介电层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张锡明，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：