一种制备GaAs薄膜材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备GaAs薄膜材料的方法，以Ga2O3，As2O3以及活性炭C为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升温速度在5~10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内，恒温3~4h，其间保持真空度不小于-0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到灰黑色的GaAs薄膜，本发明专利技术使用的原料简单，价廉易得，且均为固体或无毒气体，对环境无污染，对操作人员无安全威胁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜材料制造领域，特别是涉及。
技术介绍
砷化镓(GaAs)是人工合成的由IIIA族元素Ga和VA族元素As化合而成的半导体材料。分子式为GaAs。室温下禁带宽度为1.42eV，GaAs属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65X10_1(lm，与磷化铟(InP)属直接跃迁型能带结构。砷化镓呈黑灰色固体，熔点1238°C。它在600°C以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料，砷化镓于1964年进入实质性应用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高出3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、Y光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5 6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件-体效应器件。GaAs拥有一些比Si更好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的噪声。同时因为GaAs拥有较高的崩溃电压，所以Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备GaAs薄膜材料的方法，其特征在于：以Ga2O3，As2O3以及活性炭C为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升温速度在5~10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内，恒温3~4h，其间保持真空度不小于?0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到灰黑色...

【技术特征摘要】
1.一种制备GaAs薄膜材料的方法,其特征在于:以Ga2O3, As2O3以及活性炭C为原料，加入与固体原料质量509^100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用l(Tl5MPa的压力将其压成厚度为f IOmm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为PPm级，然后再用混合气体抽真空置换f 2次，抽真空至7 13Pa，控制升温速度在5 10°C /min范围内，反应区加热升温至1200°C 1250°C范围内，沉积区加热升温至6000C 800°C...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兴泉，张铭菊，
申请(专利权)人：常州星海电子有限公司，
类型：发明
国别省市：