【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高非晶硅薄膜电导率的方法，其特征在于，包括以下步骤：①对绝缘衬底基片进行清洗，分别用丙酮、乙醇溶液和去离子水进行超声清洗，使基片表面洁净；②采用射频磁控溅射方法，纯钌块被对称镶嵌于硅靶表面；③首先将沉积室抽至高真空并加热基片，然后预溅射，最后沉积非晶硅钌合金薄膜；④对步骤③得到的薄膜进行原位退火处理；⑤在步骤④得到的薄膜表面制备金属电极，采用矩形金属共面电极，用于非晶硅钌合金薄膜的电导率测试。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，郭安然，何剑，王垠，余峰，王冲，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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