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本发明公开了一种制备GaAs薄膜材料的方法，以Ga2O3，As2O3以及活性炭C为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，...
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