【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学品的生产工艺领域，特别是涉及一种。
技术介绍
高纯硅氧烷在电子工业中应用广泛，其提纯过程主要包括有机杂质、金属离子、及固体微粒的去除。其中，金属离子的去除难度较大。尤其是用于高端芯片的硅氧烷，其金属离子含量要求控制在IOppb以内。例如，在专利号为US20050054211A1的美国专利文献中，公开了一种采用吸收塔来提纯有机硅的方法及系统，其通过吸收塔内的吸附物质来吸附液态有机硅(包括环聚硅氧烷，如八甲基环四硅氧烷)中有机杂质及金属离子，由此来提纯有机硅；而且，为了提高纯度，还可通过过滤单元来进一步过滤有机硅中的杂质等。又例如，在专利号为US007879198B2的美国专利文献中，公开了一种采用精馏塔来提纯有机硅的系统及方法。上述该些方法虽然工艺简单，设备投资适中，但无法满足电子级高纯硅氧烷对金属离子含量的要求，尤其对环聚硅氧烷体系，如，八甲基环四硅氧烷等。因为环聚硅氧烷独特的结构与S1-ο键的负离子性使其易于与K+，Na+离子络合，故而通过精馏等难以完全有效除去金属离子。为此，在专利号为US005312947A的美国专利文献中，公开了采用增加...
【技术保护点】
一种去除有机硅中金属离子的方法，其特征在于，所述去除有机硅中金属离子的方法至少包括：1）将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物；2）将所述混合物预热后进行精馏，并将精馏后的轻组分冷凝以获得高纯有机硅。
【技术特征摘要】
1.一种去除有机娃中金属离子的方法，其特征在于，所述去除有机娃中金属离子的方法至少包括: 1)将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物； 2)将所述混合物预热后进行精馏，并将精馏后的轻组分冷凝以获得高纯有机硅。2.根据权利要求1所述的去除有机硅中金属离子的方法，其特征在于:所述金属络合剂包括冠醚及其衍生物。3.根据权利要求1所述的去除有机硅中金属离子的方法，其特征在于:所述金属络合剂包括氧桥氮杂环杯香烃及...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐志国，杜丽萍，袁京，胡文敬，张黎明，王万军，姜标，
申请(专利权)人：上海中科高等研究院，上海爱默金山药业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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