生产高纯有机硅的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种生产高纯有机硅的方法及装置。根据本发明专利技术的方法，先将待提纯的有机硅加热后进行第一次精馏，冷凝后获得初步提纯的有机硅；随后再将所述初步提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合，并预热后进行第二次精馏，冷凝过滤后获得高纯有机硅。实现本发明专利技术的方法的优选装置至少包括：包含加热器、第一冷凝器的第一精馏设备通过静态管道混合器及预热器连接包含第二冷凝器及过滤单元的第二精馏设备，其中，所述静态管道混合器用于将所述第一精馏设备输出的有机硅与金属络合剂混合，由此可以输出电子级高纯有机硅，尤其可以输出含量>99.99%,金属杂质总量<10ppb的环聚硅氧烷体系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学品的生产工艺领域，特别是涉及一种生产高纯有机硅的方法及装置。
技术介绍
高纯环聚硅氧烷因其低介电绝缘性质而在电子工业中应用广泛，其提纯过程主要包括有机杂质、金属离子、及固体微粒的去除。其中，有机杂质的去除主要采用吸收和精馏的方法，固体微粒则通过过滤过程加以去除。例如，在专利号为US20050054211A1的美国专利文献中，公开了一种采用吸收塔来提纯有机硅的方法及系统，其通过吸收塔内的吸附物质来吸附液态有机硅(包括环聚硅氧烷，如八甲基环四硅氧烷)中有机杂质及金属离子，由此来提纯有机硅；而且，为了提高纯度，还可通过过滤单元来进一步过滤有机硅中的杂质等。又例如，在专利号为US007879198B2的美国专利文献中，公开了一种采用精馏塔来提纯有机硅的系统及方法。上述各方法虽然工艺简单，但无法满足电子级高纯环聚硅氧烷对金属离子含量的要求。因为，对用于高端芯片的高纯环聚硅氧烷，要求将金属离子含量控制在IOppb以内；此外，环聚硅氧烷独特的结构与S1-O键的负离子性使其又易于与K+，Na+等离子络合，从而更增加精馏除去金属离子的难度，无法实现高纯硅氧烷的制备。因此，如何获得电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产高纯有机硅的方法，其特征在于，所述生产高纯有机硅的方法至少包括：1）将待提纯的有机硅加热后进行第一次精馏，冷凝后获得初步提纯的有机硅；2）将所述初步提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合，并在预热后进行第二次精馏，冷凝过滤后获得高纯有机硅。

【技术特征摘要】
1.一种生产高纯有机硅的方法，其特征在于，所述生产高纯有机硅的方法至少包括: 1)将待提纯的有机娃加热后进行第一次精懼，冷凝后获得初步提纯的有机娃; 2)将所述初步提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合，并在预热后进行第二次精馏，冷凝过滤后获得高纯有机硅。2.根据权利要求1所述的生产高纯有机硅的方法，其特征在于还包括:金属络合剂由降膜蒸发器排出。3.根据权利要求1或2所述的生产高纯有机硅的方法，其特征在于:所述金属络合剂包括冠醚。4.根据权利要求3所述的生产高纯有机硅的方法，其特征在于:所述冠醚为15-冠醚-5、及18-冠醚-6中的一种或两者的混合物。5.根据权利要求1所述的生产高纯有机硅的方法，其特征在于:所述有机硅包括环聚 硅氧烷。6.一种生产高纯有机硅的装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志国，张黎明，杜丽萍，袁京，王万军，姜标，
申请(专利权)人：上海中科高等研究院， 上海爱默金山药业有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31