氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）；R包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种。其制备方法为将α-Al2O3、第一添加剂和第二添加剂，进行球磨，烘干得到粉体；将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；将所述压片在1450～1550℃烧结，得到氧化铝基微波介质陶瓷。本发明专利技术降低了烧结温度，降低能耗，提高了陶瓷的致密性，拓宽了生产和使用工艺条件。结果表明，所述氧化铝基微波介质陶瓷介电常数ε为9.4～9.9，瓷体密度＞3.8g/cm3，热膨胀系数为8～8.3ppm/℃。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及介质陶瓷领域，特别涉及。
技术介绍
微波介质陶瓷是一种在微波频段电路中作为介质材料的新型功能电子陶瓷，其具有介电常数高、损耗低、频率温度系数小等特点。微波介质陶瓷可以制成介质谐振器、双工器、介质滤波器等微波元器件，应用于移动通讯、卫星通讯军用雷达和卫星定位导航系统等领域，以满足上述基站天馈系统中滤波单元小型化及第损耗等高性能指标的需要。Al2O3作为一种重要的微波介质材料，其具有高的品质因子(在IOGHz条件下Q> 14000)、相对低的介电常数(e ^ 10)和良好的热学(导热率> 30W/mK，热膨胀系数^ 8ppm/°C )及力学性能(抗弯强度> 3000kg/cm2)。它作为通信介质谐振器和关键支撑材料主要应用在10 300GHz微波 亚毫米波的频率范围内，以及用在时钟的超稳定振荡器上和电路基版上。目前，我国生产的Al2O3基微波介质陶瓷，采用高纯a-Al2O3通过成型煅烧制备而成，但是烧结温度过高，一般在1700°C以上，而且陶瓷的致密性差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于提供一种氧化铝基微波介质陶瓷，烧结温度低，致密性好。 本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）：xα?Al2O3?（1?x）R（I）；其中，x为0.965～0.99；R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol%～1.5mol%；CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol%～1mol%；K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.5mol%；Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol%～0.6mol%；ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0m...

【技术特征摘要】
1.一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式(I):X a -Al2O3- (l_x) R (I)； 其中，X为0.965 0.99 ; R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgOXaCO3和SiO2,所述第二添加剂为K20、Na2O, ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种； MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol% 1.5mol% ； CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol% lmol% ； K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol% 0.5mol% ； Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol% 0.6mol% ； ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol% 0.6mol% ； Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol% 0.4mol% ； SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol% 1.8mol% ； B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol% 0.5mol%。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的 0.lmol% 0.3mol%。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的 0.lmol% 0.3m ol%。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的 0.4mol% 1.2mol%。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的 0.04mol% 0.5mol%。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的 0.3mol% 1.3mol%。7.一种氧化铝基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤: (...

【专利技术属性】
技术研发人员：任海东，袁亮亮，成国权，
申请(专利权)人：罗森伯格上海通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：