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一种应用高丰度稀土MM生产的稀土永磁体及其制备方法技术

技术编号:8744751 阅读:215 留言:0更新日期:2013-05-29 22:21
本发明专利技术公开一种应用了高丰度稀土MM生产的稀土永磁体及其制备方法。本发明专利技术基于晶界重构新技术,主合金、晶界相辅合金分开设计成分、配料和制粉,对晶界相纳米改性后进行混粉、磁场压型、烧结和热处理制备磁体。本发明专利技术应用纳米颗粒改性方法,添加纳米金属、纳米氧化物、纳米氮化物或纳米碳化物,实现对晶界相的改性,有效提升磁体的综合磁性能和耐蚀性。本发明专利技术应用内蒙古白云鄂博矿的Mishmetal产物MM部分取代Nd进行稀土永磁体的制备和生产,有效实现原料成本的控制,亦发挥了中国稀土资源的特色优势。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种应用高丰度稀土MM生产的稀土永磁体,其特征在于以质量百分数计包括90~97%的主合金和3~10%经纳米改性的辅合金,其中经纳米改性的辅合金包括90~99.999%辅合金和0.001~10%纳米粉;主合金成分以原子百分数计,为(MMxNd1?x?y?REy)a(Fe1?zMz)1?a?bBb,式中,MM为混合稀土,其质量组成成分的界定是:TREM>99%,Ce/TREM>48%,La/TREM:20~35%,Pr:4~7%,Nd:10~20%,Sm<0.3%,Fe<1%,Mg<0.8%,Si<0.2%,Ca<0.03%,S<0.02%,P<0.01%,以及其他杂质元素;Nd为钕元素,RE为除Nd以外的其他镧系元素或者Sc和Y;Fe为铁元素,M为Al、C、Co、Cr、Cu、F、Ga、Mn、Mo、N、Nb、Ni、P、Pb、S、Si、Ta、Ti、V、Zr元素中一种或几种,?B为硼元素,x、y、z、a和b满足以下关系:0≤x≤0.8、0≤y≤0.1、0.01≤z≤2、12≤a≤18、5.8≤b≤7.5;辅合金成分以原子百分数计,为R100?cM“c,?R为La、Ce、Pr、Nd、Ho、Gd、Er中的一种或几种,M“为Al、B、Bi、Ca、Co、Cr、Cu、Fe、Ga、In、Mg、Mn、Mo、Nb、Ni、Pb、Si、Sn、Ta、Ti、V、W、Zn、Zr元素中的一种或几种;c满足:0...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:严密金佳莹王新华高翠张培梁丽萍
申请(专利权)人:浙江大学浙江中元磁业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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