多晶硅生长过程中的保温结构制造技术

技术编号:8743405 阅读:174 留言:0更新日期:2013-05-29 20:43
本发明专利技术公开了一种多晶硅生长过程中的保温结构,包括:坩埚、发热器和位于坩埚外侧的隔热笼,所述隔热笼包括隔热顶板、隔热侧板和隔热底板,所述隔热侧板为三层结构,包括外层的莫来石纤维板、中间层的耐高温碳/碳复合板,内层的承烧板。通过上述方式,本发明专利技术能够减少现有保温板长时间高温烘烤导致的掉粉现象,提升隔热笼内部的保温性能,可有效提高硅锭质量,减少硅锭碳含量和阴影,从而总体实现了延长设备的使用寿命,提高产品质量,节能降耗、降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅生长过程中的保温结构,其特征在于,包括:坩埚、发热器和位于坩埚外侧的隔热笼,所述隔热笼包括隔热顶板、隔热侧板和隔热底板,所述隔热侧板为三层结构,包括外层的莫来石纤维板、中间层的耐高温碳/碳复合板,内层的承烧板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李川川
申请(专利权)人:常州市万阳光伏有限公司
类型:发明
国别省市:

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