一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚，所述石英坩埚的底部均匀镶嵌有高纯颗粒。本发明专利技术还公开了一种多晶铸锭用高效坩埚的制备方法。与现有的石英坩埚相比，本发明专利技术具有以下技术效果：（1）本发明专利技术将高纯颗粒均匀分布在石英坩埚底部，使石英坩埚底部形成规律分布的凹凸起伏，在多晶铸锭过程中，高纯颗粒形成的凹凸起伏能够引导晶体形核，使其形成均匀、大小适中的晶核，利于晶体的后期生长质量，从而较容易实现硅片转化效率的提升。（2）石英坩埚底部镶嵌高纯颗粒后，高纯颗粒牢牢固定在石英坩埚上，使用后颗粒不脱落，利于铸锭后坩埚的脱模，避免了高纯颗粒进入到硅锭中导致底部硅料报废。（3）高纯颗粒在石英坩埚底部呈矩阵型均匀排列，有利于形成分布均匀、大小适中的晶核，利于后期晶体生长质量的提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种多晶硅锭鋳造所使用的石英坩埚，本专利技术还涉及ー种多晶硅锭铸造所使用的石英坩埚的制备方法。
技术介绍
太阳能电池分硅片、电池片、组件几个制造阶段，在多晶硅片制造过程中，多晶硅锭铸造时需使用石英坩埚。多晶铸锭采用的是定向凝固的方法，将硅料装入石英坩埚投炉后，通常包括加热、融化、长晶、退火、冷却等过程。硅料加热融化为液态后，通过エ艺控制使其从底部开始形核长晶而铸成多晶硅錠。目前的多晶铸锭用石英坩埚，在硅晶体的形核过程中，熔融状态的硅料自发随机形核并生长，形成的晶核均匀性较差，导致后期晶体长晶过程中形成较多的位错及其他缺陷，硅片晶粒分布不均匀，其光电转化效率普遍偏低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种多晶铸锭用高效坩埚，通过对石英坩埚底部的特殊设计，引导硅晶体的均匀形核，使其形成均一、高质量的晶核，从而減少后期长晶过程中晶体缺陷的形成，提高硅片制成电池片后的光电转化效率。本专利技术的另一目的在于提供一种エ艺简单的多晶铸锭用高效坩埚的制备方法。 本专利技术提供的一种多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚，其特征在于:所述石英坩埚的底部均匀分布有高纯颗粒。所述高纯颗粒均匀镶嵌于石英坩埚底部的石英浆料内。所述高纯颗粒为碳化硅颗粒、石英颗粒、硅颗粒或其他与晶体硅晶格常数相同或相近的颗粒，其粒径为0.5-3mm。所述高纯颗粒突出石英坩埚底部的高度为l_2mm，高纯颗粒之间的间距为5-10mm,高纯颗粒呈矩阵排列。本专利技术提供的一种多晶铸锭用高效坩埚的制备方法，其特征在于包括以下步骤: (1)按照现有エ艺制作石英坩埚； (2)选取合适的高纯颗粒； (3)将高纯颗粒均匀的镶嵌于石英坩埚底部的石英浆料内； (4)采用烧结エ艺将高纯颗粒牢牢固定于石英坩埚底部即得。与现有的石英坩埚相比，本专利技术具有以下技术效果: (I)本专利技术将高纯颗粒均匀分布在石英坩埚底部，使石英坩埚底部形成规律分布的凹凸起伏，在多晶铸锭过程中，高纯颗粒形成的凹凸起伏能够引导晶体形核，使其形成均匀、大小适中的晶核，利于晶体的后期生长质量，从而较容易实现硅片转化效率的提升。(2)石英坩埚底部镶嵌高纯颗粒后，高纯颗粒牢牢固定在石英坩埚上，使用后颗粒不脱落，利于铸锭后坩埚的脱模，避免了高纯颗粒进入到硅锭中导致底部硅料报废。(3)高纯颗粒在石英坩埚底部呈矩阵型均匀排列，颗粒间间距5-10mm左右，有利于形成分布均匀、大小适中的晶核，利于后期晶体生长质量的提高。附图说明图1为本专利技术所述多晶铸淀用闻效;t甘祸的俯视 图2本为专利技术所述多晶铸锭用高效坩埚的剖视图。图中，1、石英坩埚，2、高纯颗粒。具体实施例方式实施例1 如图1、2所示，本专利技术多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚I，石英坩埚I的底部均匀镶嵌有高纯颗粒2，高纯颗粒2为粒径为1.5mm的碳化硅颗粒。高纯颗粒2突出石英坩埚I底部的高度为1mm，高纯颗粒2之间的间距为5mm，高纯颗粒2呈矩阵排列。上述多晶铸锭用高效坩埚的制备方法，包括以下步骤:(I)按照现有エ艺制作石英坩埚I ; (2)选取高纯颗粒2 ; (3)将高纯颗粒2均匀的镶嵌于石英坩埚I底部的石英浆料内；(4)采用烧结エ艺将高纯颗粒2牢牢固定于石英坩埚I底部即得。实施例2 如图1、2所示，本专利技术多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚I，石英坩埚I的底部均匀镶嵌有高纯颗粒2，高纯颗粒2为粒径为2_的石英颗粒。高纯颗粒2突出石英坩埚I底部的高度为1mm，高纯颗粒2之间的间距`为5mm，高纯颗粒2呈矩阵排列。上述多晶铸锭用高效坩埚的制备方法，包括以下步骤:(1)按照现有エ艺制作石英坩埚I ; (2)选取高纯颗粒2 ; (3)将高纯颗粒2均匀的镶嵌于石英坩埚I底部的石英浆料内；(4)采用烧结エ艺将高纯颗粒2牢牢固定于石英坩埚I底部即得。实施例3 如图1、2所示，本专利技术多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚I，石英坩埚I的底部均匀镶嵌有高纯颗粒2，高纯颗粒2为粒径为1.5mm的硅颗粒。高纯颗粒2突出石英坩埚I底部的高度为1mm，高纯颗粒2之间的间距为6mm，高纯颗粒2呈矩阵排列。上述多晶铸锭用高效坩埚的制备方法，包括以下步骤:(1)按照现有エ艺制作石英坩埚I ; (2)选取高纯颗粒2 ; (3)将高纯颗粒2均匀的镶嵌于石英坩埚I底部的石英浆料内；(4)采用烧结エ艺将高纯颗粒2牢牢固定于石英坩埚I底部即得。最后应说明的是:以上所述仅为本专利技术的优选实施例而己，并不用于限制本专利技术，尽管參照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚，其特征在于：所述石英坩埚的底部均匀分布有高纯颗粒。

【技术特征摘要】
1.一种多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚，其特征在于:所述石英坩埚的底部均匀分布有高纯颗粒。2.根据权利要求1所述的多晶铸锭用高效坩埚，其特征在于:所述高纯颗粒均匀镶嵌于石英坩埚底部的石英浆料内。3.根据权利要求2所述的多晶铸锭用高效坩埚，其特征在于:所述高纯颗粒为碳化硅颗粒、石英颗粒或娃颗粒,其粒径为0.5_3mm。4.根据权利要求3所述的多晶铸锭用高效坩埚，其特征在于:所述高纯颗粒突出石英坩埚底部的高度为l_2mm，高纯颗粒之间的间距为5-10mm，高纯颗粒呈矩阵排列。5.权利要求1所述的多晶铸锭用高效坩埚...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜颉颃，习海平，罗建明，高源，石宗杰，张欣，
申请(专利权)人：晶海洋半导体材料东海有限公司，
类型：发明
国别省市：