粘接膜及晶片加工用带制造技术

本发明专利技术提供在制作预切割加工成与半导体晶片的形状对应的形状的晶片加工用带时的粘接剂层的卷绕步骤中，可以防止卷绕的粘接剂层断裂，并且可以提高经预切割加工的晶片加工用带的生产性的粘接膜，及使用该粘接膜所制作的晶片加工用带。相对于粘接剂层(12)自脱模薄膜(11)的每单位剥离力，粘接剂层(12)的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上，优选为100倍以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种粘接膜及晶片加工用带。尤其涉及一种粘接膜及含有具有切割带与芯片焊接薄膜这两种功能的层叠型切割-芯片焊接薄膜的晶片加工用带。
技术介绍
最近，已开发出在将半导体晶片切断分离(切割)成各个芯片时用于固定半导体晶片的切割带，及用于使所切断的半导体芯片粘接于引线框或封装基板等，或者在堆叠封装中，同时具有用于使半导体芯片彼此层叠、粘接的粘接膜(也称为芯片焊接薄膜、晶片贴膜)这两种功能的切割-芯片焊接薄膜(DDF)。作为这种切割-芯片焊接薄膜，考虑对半导体晶片的贴附、或切割时对环形框的安装等作业性，而有实施了预切割加工的情况。在制作实施了预切割加工的具有切割-芯片焊接薄膜的晶片加工用带时，例如如专利文献I所述，进行了在长条型的脱模薄膜的整面上层叠粘接剂层而成的粘接膜的粘接剂层上，以对应于半导体晶片的圆形刀刃切出切口，自脱模薄膜剥离圆形部分的外侧并进行卷绕(以下称为粘接剂层的卷绕步骤)，对利用该粘接剂层的卷绕步骤而挖空的圆形粘接膜的粘接剂层与在基材薄膜上层叠粘合剂层而成的切割带的粘合剂层进行加热加压而贴合，在切割带上以与环形框对应的圆形刀刃切出切口，剥离与环形框对应的部分并进行卷绕。现有技术文献专利文献 专利文献1:日本特开2007-2173号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题上述粘接剂层的卷绕步骤中，边将一定的力施加于圆形部分的外侧的粘接剂层，边自脱模薄膜剥离圆形部分的外侧的粘接剂层并进行卷绕。因此，在粘接剂层卷绕步骤的作业过程中，发生圆形部分的外侧的粘接剂层会切断这样的现象。为了卷绕粘接剂层，而有预先将粘接剂层的端部固定在卷绕用辊上等初期作业，在切断粘接剂层时，必须暂时终止粘接剂层的卷绕作业，在进行初期作业后必须使其再重开，而有实施了预切割加工的具有切割-芯片焊接薄膜的晶片加工用带的生产性降低的问题。另外，为了解决上述问题，如果将晶片加工用带的幅度较宽地去掉，则在粘接剂层卷绕步骤中，虽然没有将圆形部分的外侧的粘接剂层切断这样的现象，但会使成为不需要的圆形部分的外侧的粘接剂层的量变多，或者半导体晶片的切割、半导体的芯片焊接芯片等中的成为不需要的晶片加工用带的量变多。因此，本专利技术是为了解决上述的问题而开发的，其目的在于提供一种制作预切割加工成与半导体晶片形状对应的形状的晶片加工用带时的、自脱模薄膜剥离不需要的粘接剂层并卷绕的步骤中，可防止卷绕的粘接剂层断裂，同时可提高经预切割加工的晶片加工用带的生产性的粘接膜，以及使用该粘接膜制备的晶片加工用带。用于解决问题的方案本专利技术人等针对上述课题进行精心研究，结果发现:通过使用相对于自粘接剂层的脱模薄膜的每单位剥离力，粘接剂层的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上、优选为100倍以上的粘接膜，由此在制备经预切割加工的晶片加工用带时的粘接剂层卷绕步骤中，可以防止特定形状的外侧粘接剂层的断裂，进而，发现可以改善贴合有该粘接膜的粘接剂层及粘合膜的粘合剂层的经预切割加工的晶片加工用带的生产性，并且完成本专利技术。S卩，本专利技术的第一方案所述的粘接膜的特征在于，其为于长条状的脱模薄膜层叠有粘接剂层的粘接膜，相对于前述粘接剂层自前述脱模薄膜的每单位剥离力，前述粘接剂层的每相同单位的断裂强度为87.5倍以上。此处，剥离力根据与剥离方向垂直方向的大小而变化，且断裂强度根据拉伸方向大小而变化。因此，所谓“每相同单位”是指使与剥离方向垂直的方向的大小和拉伸方向的大小相同的情况(例如 ，在与剥离方向垂直的方向的大小设为I Omm而测定剥离力的情况下，对于断裂强度而言，使拉伸方向的大小设为IOmm而测定)，其特征在于，相对于此时的剥离力的断裂强度为87.5倍以上。另外，粘接膜可以是与如上所述的半导体晶片对应的切口预先切到粘接剂层状态的粘接膜，也可以是切口未切到粘接剂层的状态的粘接膜。本专利技术的第二方案所述的粘接膜的特征在于，在上述本专利技术的第一方案所述的粘接膜中，相对于前述粘接剂层的自前述脱模薄膜的每单位剥离力，前述粘接剂层的每相同单位的断裂强度为100倍以上。本专利技术的第一方案所述的晶片加工用带的特征在于，贴合有基材薄膜上层叠有粘合剂层的粘合膜的前述粘合剂层与上述本专利技术的第一或第二方案所述的粘接膜的粘接剂层。〔专利技术效果〕通过使用本专利技术的粘接膜，在制备预切割加工成与半导体晶片形状对应的特定形状的晶片加工用带时的、自脱模薄膜剥离成为不需要的特定形状的外侧的粘接剂层并卷绕的粘接剂层的卷绕步骤中，可以防止特定形状的外侧的粘接剂层的破裂。另外，可改善贴合该粘接层薄膜的粘接层与粘合膜的粘合剂层的、经预切割加工的晶片加工用带的生产性。且，可制作特定形状的外侧的粘接剂层的量较少、或者半导体晶片的切割、半导体的芯片焊接芯片等中成为不需要的晶片加工用带的量较少且生产效率良好的晶片加工用带。附图说明图1 (a)是本专利技术的一实施方式所述的粘接膜的概略图，(b)是所述粘接膜的剖面图。图2 (a)是用于说明切口的形成步骤的粘接膜的俯视图，(b)是所述粘接膜的剖面图。图3是用于说明粘结剂层的卷绕步骤的示意图。图4(a)是本专利技术的一实施方式所述的晶片加工用带的概略图，(b)是所述晶片加工用带的俯视图，(C)是所述晶片加工用带的剖面图。具体实施例方式以下基于附图详细说明本专利技术的实施方式。图1 (a)为本专利技术一实施方式所述的粘接膜的概略图，图1 (b)为该粘接膜的剖面图。如图1(a)及图1(b)所示，粘接膜20B具有在长条状脱模薄膜11上层叠粘接剂层12的构成。另外，本实施方式中，为在粘接剂层12上进一步层叠有脱模薄膜IlA并构成，且可生产卷绕成圆筒状的制品的粘接膜。另外，各方案中记载的脱模薄膜相当于脱模薄膜11。在半导体装置的制造步骤中，使用粘接剂层12预切割加工成与半导体晶片形状对应的圆形标签形状的粘接膜20 (参照例如图4(c))。因此，以下参照图2及图3说明经预切割加工的粘接膜20的制作方法。图2(a)为用于说明以圆形标签形状在粘接剂层12上切出切口的切口形成步骤的粘接膜20A的俯视图，(b)为该粘接膜的剖面图。图3为用于说明自脱模薄膜11剥离成为不需要的圆形标签形状的外侧的粘接剂层12并进行卷绕的粘接剂层卷绕步骤的示意图。制作经预切割加工的粘接膜20时，首先自粘接膜20B剥离脱模薄膜IlA而成为粘接膜20A(参照图1(b))的状态。粘接，如图2(a)及(b)所示，在粘接膜20A中，在粘接剂层12上形成与半导体晶片形状对应的圆形标签形状的切口 22 (切口 22的形成步骤)。利用切口 22，使粘接剂层12被切断成切口 22的内侧成为圆形标签形状的粘接剂层(以下称为圆形粘接剂层部12a，及切口 22的外侧的粘接剂层(以下称为周边粘接剂层部12b。此处，切口 22以自粘接剂层12的表面23a到达与脱模薄膜11接触的粘接剂层12内面23b为止的方式来形成。 最后，如图3所 示，粘接膜20A中，边对周边粘接剂层部12b施加一定的力，边自脱模薄膜11剥离周边粘接剂层部12b并卷绕，成为在脱模薄膜11上仅残留被挖开后的圆形粘接剂层部12a (粘接剂层的卷绕步骤)。由此，制作粘接剂层12经预切割加工成与半导体晶片形状对应的圆形标签形状的粘接膜20。本实施方式所述的粘接膜20B在具有以下构成方面存在特征。自脱模薄膜11剥离粘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木俊宏，石渡伸一，盛岛泰正，金永锡，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：